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1. (WO1995007571) WECHSELSTROMSTELLER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1995/007571    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1993/000825
Veröffentlichungsdatum: 16.03.1995 Internationales Anmeldedatum: 08.09.1993
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    27.07.1994    
IPC:
H02H 3/00 (2006.01), H02H 9/02 (2006.01), H03K 17/082 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
MAIER, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ZIERHUT, Hermann [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MAIER, Reinhard; (DE).
ZIERHUT, Hermann; (DE).
MITLEHNER, Heinz; (DE)
Prioritätsdaten:
Titel (DE) WECHSELSTROMSTELLER
(EN) A.C. CONTROLLER
(FR) REGULATEUR DE COURANT ALTERNATIF
Zusammenfassung: front page image
(DE)Wechselstromsteller, der zumindest mit zwei antiseriellen Halbleiterbereichen (1; 2) arbeitet. Jeder Halbleiterbereich (1; 2) hat Elektronenspender (3; Source), Elektronensammler (4; Drain) und den Elektronenfluß steuernde Elektrode (5; Gate) bei Kennlinien, wie sie FETs aufweisen. Technologiegebunden weist der Halbleiterbereich auch innere Bodydioden auf. Es ist vorgesehen, daß jeweils am Halbleiterbereich (1; 2) in Durchlaßrichtung die Gate-Source-Spannung (6; 7) so groß eingestellt ist, daß sich eine gewünschte Begrenzung des Drain-Source-Stromes einstellt. Am Halbleiterbereich in Inversbetrieb (2; 1) ist die Gate-Source-Spannung (7; 6) so groß eingestellt, daß die Bodydiode (8) noch stromlos ist.
(EN)The invention pertains to an a.c. controller that works with at least two antiserial semiconductor regions (1, 2). Each semiconductor region (1, 2) has electron donor (3; source), electron acceptor (4; drain) and electron-flow control electrode (5; gate) with characteristic curves like those of FETs. As essential technology the semiconductor region also has internal body diodes. The invention provides that in each case the gate-source voltage (6; 7) over the semiconductor region (1; 2) in the forward direction is set large enough that the desired limitation of the drain-source current is generated. The gate-source voltage (7; 6) over the semiconductor region in the inverse direction of operation (2; 1) is set large enough that the body diode (8) remains currentless.
(FR)Régulateur de courant alternatif fonctionnant au moins avec deux régions semi-conductrices antisérielles (1; 2). Chaque région semi-conductrice (1; 2) présente un donneur d'électrons (3; source), un collecteur d'électrons (4; drain) et l'électrode contrôlant le flux électronique (5; grille), avec des courbes caractéristiques identiques à celles des FET. Technologiquement, la région semi-conductrice présente également des diodes internes de substrat. Il est prévu que dans chaque région semi-conductrice (1; 2), la tension grille-source (6; 7) dans le sens de conduction soit établie à une grandeur telle qu'il s'instaure une limitation voulue du courant drain-source. Dans la région semi-conductrice en mode inverse (2; 1), la tension grille-source (7; 6) est réglée à une grandeur telle que la diode de substrat (8) soit encore sans courant.
Designierte Staaten: AU, CA, CZ, FI, HU, JP, KR, NO, PL, RU, SK, UA, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)