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1. (WO1995007548) STROMBEGRENZER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1995/007548    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1993/000823
Veröffentlichungsdatum: 16.03.1995 Internationales Anmeldedatum: 08.09.1993
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    03.08.1994    
IPC:
H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H02H 3/02 (2006.01), H02H 9/02 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
MAIER, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ZIERHUT, Hermann [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MAIER, Reinhard; (DE).
ZIERHUT, Hermann; (DE).
MITLEHNER, Heinz; (DE)
Prioritätsdaten:
Titel (DE) STROMBEGRENZER
(EN) CURRENT LIMITING DEVICE
(FR) LIMITEUR DE COURANT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Strombegrenzer mit zumindest einem Halbleiterbereich (1) mit Elektronenspender (Source;2) Elektronensammler (Drain;3) und den Elektronenfluß steuernde Elektrode (Gate;4) ohne eigene Ansteuerung. Der Halbleiterbereich weist eine Kennlinie auf, wie sie Feldeffekttransistoren haben. Gegebenenfalls kann eine Stromunterbrechereinrichtung (5) in Serie zur Drain-Source-Strecke geschaltet werden. Die Gate-Elektroden (4, 4a, 4b) sind hinsichtlich ihrer Dicke (L), ihres Abstandes (d) voneinander und der Source-Drain-Strecke (D) so dimensioniert, daß sich bei einer vorgegebenen Stromstärke eine Begrenzung einstellt.
(EN)The invention pertains to a current limiting device with at least one semiconductor region (1) with electron donor (source;2), electron acceptor (drain;3) and electron flow controlling electrode (gate;4) without its own drive. The semiconductor region has a characteristic curve like that old field effect transistors. As needed, a current breaker (5) can be connected in series to the drain-source path. The gate electrodes (4, 4a, 4b) are dimensioned with respect to their thickness (L), their spacing (d) and the source-drain distance (D) so that a limitation is activated at a predetermined intensity of current.
(FR)Limiteur de courant comprenant au moins une région semi-conductrice (1) comportant un donneur d'électrons (source;2), un collecteur d'électrons (drain;3) et l'électrode contrôlant le flux électronique (grille;4) sans auto-excitation. La région semi-conductrice présente une courbe caractéristique identique à celle des transistors à effet de champ. Un dispositif interrupteur de courant (5) peut être éventuellement monté en série par rapport à la trajectoire drain-source. Les électrodes grilles (4, 4a, 4b) sont dimensionnées, quant à leur épaisseur (L), leur distance (d) entre elles et la distance source-drain (D), de telle façon qu'une limitation s'instaure pour une intensité de courant prédéterminée.
Designierte Staaten: AU, CA, CZ, FI, HU, JP, KR, NO, PL, RU, SK, UA, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)