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1. (WO1995004296) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SILIZIUM-HALBLEITERSUBSTRATS MIT INTEGRIERTEM WELLENLEITER UND DARAN ANGEKOPPELTER OPTISCHER FASER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1995/004296    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1994/000867
Veröffentlichungsdatum: 09.02.1995 Internationales Anmeldedatum: 15.07.1994
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    01.02.1995    
IPC:
A61F 5/01 (2006.01), G02B 6/30 (2006.01), G02B 6/36 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
SPLETT, Armin [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SPLETT, Armin; (DE)
Prioritätsdaten:
P 43 25 955.3 27.07.1993 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SILIZIUM-HALBLEITERSUBSTRATS MIT INTEGRIERTEM WELLENLEITER UND DARAN ANGEKOPPELTER OPTISCHER FASER
(EN) PROCESS AND DEVICE FOR MANUFACTURING A SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH AN INTEGRATED WAVEGUIDE COUPLED TO AN OPTICAL FIBRE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM AVEC UN GUIDE D'ONDES INTEGRE COUPLE A UNE FIBRE OPTIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Halbleitersubstrats mit integriertem Wellenleiter und angekoppelter Faser, bei dem der integrierte Wellenleiter durch Erzeugen einer Ausnehmung im Substrat mit einer frei zugänglichen Endfläche derart versehen wird, daß diese gegenüber dem Ende einer in das Substrat anisotrop geätzten V-förmigen Nut zur Aufnahme der optischen Faser liegt. Um ein Halbleitersubstrat mit besonders präziser Ausrichtung der optischen Faser zum integrierten Wellenleiter und hoher optischer Qualität kostengünstig herstellen zu können, wird erfindungsgemäß die Ausnehmung (20) in dem Substrat (1) durch Heraustrennen eines Stücks (15) des Halbleitersubstrats (1) gebildet, indem das Stück (15) bis auf einen den integrierten Wellenleiter (2) umgebenden Bereich (16) durch anisotropes Ätzen freigelegt wird. Dabei wird der Bereich (16) durch das Ätzen einer V-förmigen Kerbe (17) so geschwächt, daß durch Druckausübung ein Abbrechen des Stücks (15) erfolgt.
(EN)A process is disclosed for manufacturing a silicon semiconductor substrate with an integrated waveguide coupled to an optical fibre. By generating a recess in the substrate, the integrated waveguide is provided with a freely accessible end surface opposite to the end of a V-shaped groove anisotropically etched in the substrate for receiving the optical fibre. In order to manufacture in an economic manner a semiconductor substrate with a particularly accurate alignment between the optical fibre and the integrated waveguide and a high optical quality, the recess (20) is formed in the substrate (1) by cutting out a piece (15) of the semiconductor substrate (1). For that purpose, the piece (15) is laid bare by anisotropic etching, except for an area (16) that surrounds the integrated waveguide (2), and the area (16) is weakened by etching a V-shaped notch (17) until the piece (15) breaks away when a pressure is exerted.
(FR)Selon un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur en silicium avec un guide d'ondes intégré couplé à une fibre optique, le guide d'ondes intégré est pourvu d'une surface terminale librement accessible par évidement du substrat, de sorte que cette surface terminale se situe en face de l'extrémité d'une rainure en V gravée de façon anisotrope dans le substrat afin de recevoir la fibre optique. Afin de pouvoir fabriquer de manière économique un substrat semi-conducteur avec une orientation particulièrement précise de la fibre optique par rapport au guide d'ondes intégré et avec une haute qualité optique, l'évidement (20) dans le substrat (1) est formé par enlèvement d'un morceau (15) du substrat semi-conducteur (1). A cet effet, le morceau (15) est dégagé par gravure anisotropique, à l'exception d'une zone (16) qui entoure le guide d'ondes intégré (2). Cette zone (16) est affaiblie par gravure d'une encoche en V (17) jusqu'à ce que le morceau (15) se rompe sous l'effet d'une pression.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)