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1. (WO1994011947) SCHALTUNG ZUM SCHUTZ EINES MOSFET-LEISTUNGSTRANSISTORS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1994/011947    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1993/001029
Veröffentlichungsdatum: 26.05.1994 Internationales Anmeldedatum: 28.10.1993
IPC:
H03K 17/0412 (2006.01), H03K 17/082 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
TOPP, Rainer [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHMID, Roland [DE/DE]; (DE) (For US Only).
OERTEL, Dagmar [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: TOPP, Rainer; (DE).
SCHMID, Roland; (DE).
OERTEL, Dagmar; (DE)
Prioritätsdaten:
P 42 37 489.8 06.11.1992 DE
Titel (DE) SCHALTUNG ZUM SCHUTZ EINES MOSFET-LEISTUNGSTRANSISTORS
(EN) CIRCUIT FOR PROTECTING A MOSFET POWER TRANSISTOR
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION D'UN TRANSISTOR DE PUISSANCE MOS A EFFET DE CHAMP
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Schaltung zum Schutz eines MOSFET-Leistungstransistors (T1) mit variabler Eingangsimpedanz der Ansteuerschaltung, wobei die Spannungssteilheit erhöht und damit die Schaltzeit reduziert werden soll. Dazu ist vorgesehen, daß ein zweiter MOSFET-Hilfstransistor (T3) mit seiner Bulkelektrode an die Sourceelektrode des MOSFET-Leistungstransistors (T1) angeschlossen ist, die Sourceelektrode des MOSFET-Hilfstransistors (T3) mit der Gateelektrode eines dritten MOSFET-Hilfstransistors (T4) und dem Polysilizium-Gate des MOSFET-Leistungstransistors verbunden ist, die Drainelektrode des zweiten MOSFET-Hilfstransistors (T3) an die Eingangsklemme (G) des MOSFET-Leistungstransistors (T1) angeschlossen ist und die Gateelektrode des zweiten MOSFET-Hilfstransistors (T3) einerseits mit der Drainelektrode des MOSFET-Hilfstransistors (T3) und andererseits mit der Sourceelektrode des MOSFET-Hilfstransistors (T4) verbunden ist, die Drainelektrode des dritten MOSFET-Hilfstransistors (T4) an das Polysilizium-Gate des MOSFET-Leistungstransistors (T1) angeschlossen ist, sowie die Bulkelektrode des MOSFET-Hilfstransistors (T4) mit der Sourceelektrode des MOSFET-Leistungstransistors (T1) verbunden ist.
(EN)The invention relates to a circuit for protecting a MOSFET power transistor (T1) with a variable input impedance in the control circuit, in which the voltage slope is increased and thus the switching time is reduced. To this end, the bulk electrode of a second MOSFET auxiliary transistor (T3) is connected to the source electrode of the MOSFET power transistor (T1), the source electrode of the MOSFET auxiliary transistor (T3) is connected to the gate electrode of a third MOSFET auxiliary transistor (T4) and to the polysilicon gate of the MOSFET power transistor, the drain electrode of the second MOSFET auxiliary transistor (T3) is connected to the input terminal (G) of the MOSFET power transistor (T1) and the gate electrode of the second MOSFET auxiliary transistor is connected on the one hand to the drain electrode of the MOSFET auxiliary transistor (T3) and on the other to the source electrode of the MOSFET auxiliary transistor (T4), the drain electrode of the third MOSFET auxiliary transistor (T4) is connected to the polysilicon gate of the MOSFET power transistor (T1) and the bulk electrode of the MOSFET auxiliary transistor (T4) is connected to the source electrode of the MOSFET power transistor (T1).
(FR)L'invention concerne un circuit pour la protection d'un transistor de puissance MOS à effet de champ (T1) avec une impédance d'entrée variable du circuit de commande, circuit avec lequel on se propose d'augmenter la vitesse de croissance de la tension et de réduire par conséquent le temps de commutation. A cet effet il est prévu qu'un deuxième transistor auxiliaire MOS à effet de champ (T3) soit relié par son électrode massive à l'électrode de source du transistor de puissance à effet de champ (T1), que l'électrode de source du transistor auxiliaire MOS à effet de champ (T3) soit reliée à l'électrode de grille d'un troisième transistor auxiliaire MOS à effet de champ (T4) et à la grille en polysilicium du transistor de puissance MOS à effet de champ, que l'électrode de drain du deuxième transistor auxiliaire MOS à effet de champ (T3) soit reliée à la borne d'entrée (G) du transistor de puissance MOS à effet de champ (T1) et que l'électrode de grille du deuxième transistor auxiliaire MOS à effet de champ (T3) soit reliée, d'une part, à l'électrode de drain du transistor auxiliaire MOS à effet de champ (T3) et, d'autre part, à l'électrode de source du transistor auxiliaire MOS à effet de champ (T4), que l'électrode de drain du troisième transistor auxiliaire MOS à effet de champ (T4) soit reliée à la grille en silicium du transistor de puissance MOS à effet de champ (T1), et que l'électrode massive du transistor auxiliaire MOS à effet de champ (T4) soit reliée à l'électrode de source du transistor de puissance MOS à effet de champ (T1).
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)