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1. WO1994010707 - HOCHABSORBIERENDE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG

Veröffentlichungsnummer WO/1994/010707
Veröffentlichungsdatum 11.05.1994
Internationales Aktenzeichen PCT/DE1993/001046
Internationales Anmeldedatum 02.11.1993
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 18.05.1994
IPC
H01L 31/0224 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02Einzelheiten
0224Elektroden
H01L 31/0693 2012.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04eingerichtet für die photovoltaische Energie-Umwandlung, z.B. PV-Module oder einzelne PV-Zellen
06gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
068wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird, z.B. Solarzellen aus Bulk-Silicium mit PN-Homoübergang oder Dünnschichtsolarzellen aus polykristallinem Silicium mit PN-Homoübergang
0693wobei die Bauelemente, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, nur AIIIBV-Verbindungen beinhalten, z.B. GaAs- oder InP-Solarzellen
CPC
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
H01L 31/0693
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
0693the devices including, apart from doping material or other impurities, only AIIIBV compounds, e.g. GaAs or InP solar cells
Y02E 10/544
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
544Solar cells from Group III-V materials
Anmelder
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
  • ENDRÖS, Arthur [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • EINZINGER, Richard [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • KRÜHLER, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SCHLACHETZKI, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • WEHMANN, Hergo-Heinrich [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder
  • ENDRÖS, Arthur; DE
  • EINZINGER, Richard; DE
  • KRÜHLER, Wolfgang; DE
  • SCHLACHETZKI, Andreas; DE
  • WEHMANN, Hergo-Heinrich; DE
Prioritätsdaten
P 42 37 397.205.11.1992DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HOCHABSORBIERENDE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) HIGHLY ABSORBENT SOLAR CELL AND PRODUCTION PROCESS
(FR) CELLULE SOLAIRE A HAUT POUVOIR ABSORBANT ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung
(DE)
Eine hochabsorbierende Solarzelle weist ein Substrat aus kristallinem Silizium und eine epitaktisch darüber aufgewachsene hochabsorbierende Verbindungshalbleiterschicht des Systems In1-xGaxAsyP1-y auf. Der pn-Halbleiterübergang ist im Substrat als Homo-Übergang oder an der Grenzfläche zwischen Substrat und hochabsorbierender Schicht als Heteroübergang ausgebildet. Ein metallischer Rückseitenkontakt auf dem Substrat und eine Fingerelektrodenstruktur über der hochabsorbierenden Schicht vervollständigen die Solarzelle.
(EN)
A highly absorbent solar cell has a substrate made of crystalline silicon and, epitaxially grown thereon, a highly absorbent compound semiconductor layer of the system In1-xGaxAsyP1-y. The pn semiconductor junction is formed in the substrate as a homojunction or at the interface between substrate and highly-absorbent layer as a heterojunction. A metallic back-surface contact on the substrate and a finger electrode structure over the highly absorbent layer complete the solar cell.
(FR)
L'invention concerne une cellule solaire à haut pouvoir absorbant qui comprend un substrat en silicium cristallin et une couche de jonction semiconductrice du système In1-xGaxAsyP1-y, à haut pouvoir absorbant, réalisée par croissance épitaxique. La jonction pn s'opère sous forme d'homojonction dans le substrat ou d'hétérojonction à l'interface entre le substrat et la couche à haut pouvoir absorbant. Un contact métallique arrière situé sur le substrat et une structure d'électrodes en peigne située au-dessus de la couche à haut pouvoir absorbant complètent la cellule solaire.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten