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1. (WO1994010707) HOCHABSORBIERENDE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1994/010707    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1993/001046
Veröffentlichungsdatum: 11.05.1994 Internationales Anmeldedatum: 02.11.1993
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    18.05.1994    
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0693 (2012.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
ENDRÖS, Arthur [DE/DE]; (DE) (For US Only).
EINZINGER, Richard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KRÜHLER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHLACHETZKI, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEHMANN, Hergo-Heinrich [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: ENDRÖS, Arthur; (DE).
EINZINGER, Richard; (DE).
KRÜHLER, Wolfgang; (DE).
SCHLACHETZKI, Andreas; (DE).
WEHMANN, Hergo-Heinrich; (DE)
Prioritätsdaten:
P 42 37 397.2 05.11.1992 DE
Titel (DE) HOCHABSORBIERENDE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) HIGHLY ABSORBENT SOLAR CELL AND PRODUCTION PROCESS
(FR) CELLULE SOLAIRE A HAUT POUVOIR ABSORBANT ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Eine hochabsorbierende Solarzelle weist ein Substrat aus kristallinem Silizium und eine epitaktisch darüber aufgewachsene hochabsorbierende Verbindungshalbleiterschicht des Systems In¿1-x?Ga¿x?As¿y?P¿1-y? auf. Der pn-Halbleiterübergang ist im Substrat als Homo-Übergang oder an der Grenzfläche zwischen Substrat und hochabsorbierender Schicht als Heteroübergang ausgebildet. Ein metallischer Rückseitenkontakt auf dem Substrat und eine Fingerelektrodenstruktur über der hochabsorbierenden Schicht vervollständigen die Solarzelle.
(EN)A highly absorbent solar cell has a substrate made of crystalline silicon and, epitaxially grown thereon, a highly absorbent compound semiconductor layer of the system In¿1-x?Ga¿x?As¿y?P¿1-y?. The pn semiconductor junction is formed in the substrate as a homojunction or at the interface between substrate and highly-absorbent layer as a heterojunction. A metallic back-surface contact on the substrate and a finger electrode structure over the highly absorbent layer complete the solar cell.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire à haut pouvoir absorbant qui comprend un substrat en silicium cristallin et une couche de jonction semiconductrice du système In¿1-x?Ga¿x?As¿y?P¿1-y?, à haut pouvoir absorbant, réalisée par croissance épitaxique. La jonction pn s'opère sous forme d'homojonction dans le substrat ou d'hétérojonction à l'interface entre le substrat et la couche à haut pouvoir absorbant. Un contact métallique arrière situé sur le substrat et une structure d'électrodes en peigne située au-dessus de la couche à haut pouvoir absorbant complètent la cellule solaire.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)