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1. WO1994010358 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HEIZELEMENTS

Veröffentlichungsnummer WO/1994/010358
Veröffentlichungsdatum 11.05.1994
Internationales Aktenzeichen PCT/EP1993/003068
Internationales Anmeldedatum 02.11.1993
IPC
C23C 16/24 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
22gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
24Alleiniges Abscheiden von Silicium
H05B 3/30 2006.01
HElektrotechnik
05Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
BElektrische Heizung; elektrische Beleuchtung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
3Widerstandsheizung
20Heizelemente mit einer hauptsächlich in einer zweidimensionalen Ebene verlaufenden Oberflächenzone, z.B. Plattenwärmer
22Nichtbiegsame Heizelemente
28mit in einem isolierenden Werkstoff eingebetteten Heizleiter
30auf oder zwischen metallischen Platten
CPC
C23C 16/24
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
24Deposition of silicon only
H05B 3/30
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
22non-flexible
28heating conductor embedded in insulating material
30on or between metallic plates
Anmelder
  • MIR PATENT-, LIZENZVERWERTUNGEN UND HANDELS-GMBH [DE/DE]; August-Horch-Strasse 28 D-56070 Koblenz, DE (AllExceptUS)
  • DJOMIN, Andrej Vasilievic^´ [RU/RU]; RU (UsOnly)
  • AIVASOV, Valerij Yakovlevic^´ [UA/UA]; UA (UsOnly)
  • VLASKINA, Svetlana Ivanovna [UA/UA]; UA (UsOnly)
Erfinder
  • DJOMIN, Andrej Vasilievic^´; RU
  • AIVASOV, Valerij Yakovlevic^´; UA
  • VLASKINA, Svetlana Ivanovna; UA
Vertreter
  • VON FÜNER, Alexander ; Mariahilfplatz 2 & 3 D-81541 München, DE
Prioritätsdaten
P 42 37 017.502.11.1992DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HEIZELEMENTS
(EN) PROCESS FOR PRODUCING A HEATING ELEMENT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT CHAUFFANT
Zusammenfassung
(DE)
Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Heizelements wird eine Arbeitsschicht durch Abscheidung in einem plasmachemischen Verfahren auf einem Träger mit Kontaktflächen gebildet. Als Träger wird eine Metalloberfläche verwendet. Auf dem Träger wird zunächst eine Isolierschicht durch Abscheidung aus einer ersten Mischung gebildet, die aus einem Ausgangsgemisch aus SiH4 und Ar, das 96-97 % Ar enthält, und O besteht, wobei das Verhältnis zwischen dem Ausgangsgemisch und O 1:(2,5 bis 5) beträgt. Anschließend wird eine Widerstandsschicht aus legiertem amorphem Silizium durch Abscheidung aus einer zweiten Mischung gebildet, die aus einem Ausgangsgemisch aus SiH4 und Ar, das 96-97 % Ar enthält, und BF3 besteht, wobei das Verhältnis zwischen dem Ausgangsgemisch und BF3 100:(5 bis 10) beträgt. Beide Abscheidungsvorgänge werden bei einer Temperatur des Trägers von 250 bis 500 °C, einem Druck von 0,2 bis 0,5 mmHg und einer spezifischen Entladungsleistung von 0,1 bis 0,5 W/cm2 ausgeführt.
(EN)
In a process for producing a heating element, a working layer with contact areas is formed by plasma-chemical deposition on a substrate. A metal surface is used as substrate. First, an insulating layer is formed on the substrate through deposition from a first mixture consisting of a precursor mix of SiH4 and Ar, which contains 96-97 % Ar, and O, the ratio between precursor mix and O being 1:2.5-5. Then, a resistive layer of alloyed amorphous silicon is formed by deposition from a second mixture consisting of a precursor mix of SiH4 and Ar, which contains 96-97 % Ar, and BF3, the ratio between the precursor mix and BF3 being 100:5-10. Both deposition processes are carried at a substrate temperature of 250-500 °C, a pressure of 0.2-0.5 mmHg and a specific discharge output of 0.1-0.5 W/cm2.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément chauffant selon lequel une couche de travail est formée avec des surfaces de contact par dépôt plasma-chimique sur un support. On utilise comme support, une surface métallique. Une couche isolante est tout d'abord réalisée sur le support, par dépôt à partir d'un premier mélange constitué d'un mélange de départ composé de SiH4 et d'Ar, qui contient 96 à 97 % d'Ar, et de O. Le rapport entre le mélange de départ et O est de 1:(2,5 à 5). Une couche de résistance en silicium amorphe allié est ensuite obtenue par dépôt à partir d'un second mélange constitué d'un mélange de départ composé de SiH4 et d'Ar, qui contient 96 à 97 % d'Ar, et de BF3. Le rapport entre le mélange de départ et BF3 est de 100:(5 à 10). Les deux processus de dépôt sont réalisés à une température du support comprise entre 250 et 500 °C, à une pression comprise entre 0,2 et 0,5 mmHg et à une capacité de décharge comprise entre 0,1 et 0,5 W/cm2.
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