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1. (WO1994007260) ANTIREFLEXSCHICHT UND VERFAHREN ZUR LITHOGRAFISCHEN STRUCKTURIERUNG EINER SCHICHT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1994/007260    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE1993/000857
Veröffentlichungsdatum: 31.03.1994 Internationales Anmeldedatum: 14.09.1993
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    12.04.1994    
IPC:
G03F 7/09 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
KÜSTERS, Karl-Heinz [DE/FR]; (FR) (For US Only).
KÜPPER, Paul [DE/DE]; (DE) (For US Only).
CZECH, Günther [DE/DE]; (DE) (For US Only).
JOSWIG, Hellmut [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KÜSTERS, Karl-Heinz; (FR).
KÜPPER, Paul; (DE).
CZECH, Günther; (DE).
JOSWIG, Hellmut; (DE)
Prioritätsdaten:
P 42 31 312.0 18.09.1992 DE
Titel (DE) ANTIREFLEXSCHICHT UND VERFAHREN ZUR LITHOGRAFISCHEN STRUCKTURIERUNG EINER SCHICHT
(EN) ANTIREFLEX LAYER AND PROCESS FOR LITHOGRAPHICALLY STRUCTURING SUCH A LAYER
(FR) COUCHE ANTIREFLET ET PROCEDE DE STRUCTURATION LITHOGRAPHIQUE D'UNE TELLE COUCHE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird vorgeschlagen, eine dicke Schicht aus aSi oder aSi/aSiN als Antireflexschicht (3) bei der lithographischen Strukturierung von Schichten (2) auf einem Halbleitersubstrat (1) zu verwenden. Die Reflexionsunterdrückung beruht dabei auf Absorption in der aSi-Schicht sowie auf Interferenz in der aSiN-Schicht. Es wird eine optische Entkopplung des Untergrunds erreicht, so daß die Antireflexschicht universell einsetzbar ist.
(EN)A thick layer made of aSi or aSi/aSiN is used for lithographically structuring layers (2) on a semiconductor substrate (1). The suppression of reflection is based on absorption in the aSi layer and on interference in the aSiN layer. An optical decoupling of the background is achieved, so that this antireflex layer has universal applications.
(FR)L'invention concerne l'utilisation d'une couche épaisse en aSi ou en aSi/aSiN servant de couche antireflet lors de la structuration lithographique de couches (2) sur un substrat semi-conducteur (1). La suppression de la réflexion repose sur l'absorption dans la couche en aSi ainsi que sur l'interférence dans la couche aSiN. On arrive à un découplage optique du fond, de sorte que la couche antireflet peut être utilisée de manière universelle.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)