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1. (WO1994006158) FELDEFFEKTGESTEURTES HALBLEITERBAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1994/006158    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP1993/002216
Veröffentlichungsdatum: 17.03.1994 Internationales Anmeldedatum: 19.08.1993
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    15.03.1994    
IPC:
H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/74 (2006.01), H01L 29/745 (2006.01)
Anmelder: DAIMLER-BENZ AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; D-70546 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
NEUBRAND, Horst [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KOREC, Jacek [PL/DE]; (DE) (For US Only).
STEIN, Erhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SILBER, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: NEUBRAND, Horst; (DE).
KOREC, Jacek; (DE).
STEIN, Erhard; (DE).
SILBER, Dieter; (DE)
Vertreter: VOGL, Leo; AEG Aktiengesellschaft, Patent- und Lizenzwesen, D-60591 Frankfurt (DE)
Prioritätsdaten:
P 42 28 832.0 29.08.1992 DE
Titel (DE) FELDEFFEKTGESTEURTES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) FIELD-EFFECT-CONTROLLED SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR A COMMANDE PAR EFFET DE CHAMP
Zusammenfassung: front page image
(DE)Gegenstand der Erfindung ist ein feldeffektgesteuertes Halbleiterbauelement mit mindestens vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, einer anodenseitigen Ermitterzone, einer daran anschließenden ersten und zweiten Basiszone, einer kathodenseitigen Emitterzone und einer weiteren benachbart liegenden Emitterzone, einem Anodenkontakt, einem Kontakt an der kathodenseitigen Emitterzone und einem Steuerelektrodenkontakt des MOS-Feldeffekt-Transistors. Die kathodenseitige Emitterzone und die benachbart liegende Emitterzone bilden Source und Drain eines MOS-Feldeffekttransistors. Derjenige Teilbereich (34, 36) der kathodenseitigen Basiszone, der an eine Emitterzone (44) eines Hauptthyristors angrenzt oder ein zur kathodenseitigen Basiszone benachbartes, separates, stark p-dotiertes Gebiet (38) ist über ein integriertes Bauelement (D) mit nichtlinearer Strom-/Spannungskennlinie an den Kathodenkontakt (72) angebunden.
(EN)The invention concerns a field-effect-controlled semiconductor component with at least four zones of alternating opposite conduction types, an emitter region at the anode end, a first and a second base region adjacent to the emitter region, an emitter region at the cathode end and an additional adjacent emitter region, plus an anode contact, a contact with the emitter region at the cathode end and a MOS field-effect transistor control-electrode contact. The cathode-end emitter region and the adjacent emitter region form the source and drain of a MOS field-effect transistor. The part (34, 36) of the cathode-end base region which is adjacent to the emitter region (44) of a main thyristor, or a separate highly p-doped region (38) adjacent to the cathode-end base region, is connected to the cathode contact (72) by an integrated component (D) with a non-linear current/voltage characteristic.
(FR)L'invention a pour objet un composant à semiconducteur à commande par effet de champ, comprenant au moins quatre zones de natures de conductivité alternativement opposées, une zone émettrice côté anode, une première et une deuxième zones de base adjacentes à la zone émettrice précitée, une zone émettrice côté cathode et une autre zone émettrice voisine, un contact anodique, un contact avec la zone émettrice côté cathode et un contact d'électrode de grille d'un transistor MOS à effet de champ. La zone émettrice côté cathode et la zone émettrice voisine forment la source et le drain d'un transistor MOS à effet de champ. La partie (34, 36) de la zone de base côté cathode, qui est contigüe à une zone émettrice (44) d'un thyristor principal, ou une zone séparée, à fort dopage p (38) voisine de la zone de base côté cathode, est reliée, par l'intermédiaire d'un élément intégré (D) à caractéristique courant/tension non linéaire, au contact cathodique (72).
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)