WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO1993020584) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MONOKRISTALLINEN SILIZIUMSCHICHT AUF EINEM VERGRABENEN DIELEKTRIKUM
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1993/020584    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP1993/000734
Veröffentlichungsdatum: 14.10.1993 Internationales Anmeldedatum: 25.03.1993
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    07.09.1993    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstraße 54, D-80636 München (DE) (For All Designated States Except US).
GASSEL, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VOGT, Holger [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: GASSEL, Helmut; (DE).
VOGT, Holger; (DE)
Vertreter: SCHOPPE, Fritz; Georg-Kalb-Strasse 9, D-82049 Pullach (DE)
Prioritätsdaten:
P 42 10 859.4 01.04.1992 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MONOKRISTALLINEN SILIZIUMSCHICHT AUF EINEM VERGRABENEN DIELEKTRIKUM
(EN) PROCESS FOR PRODUCING A MONOCRYSTALLINE SILICON LAYER ON AN EMBEDDED DIELECTRIC
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLINE SUR UN DIELECTRIQUE NOYE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer monokristallinen Siliziumschicht angegeben, die durch eine vergrabene Isolatorschicht von einem darunterliegenden Siliziumsubstrat getrennt ist. Zusätzlich zu den bei einem SIMOX-Verfahren eingesetzten Verfahrensschritten, die zu einer SIMOX-Waferstruktur mit einer vergrabenen SIMOX-Oxidschicht und einer darüberliegenden Siliziumschicht führen, sind erfindungsgemäß folgende Schritte vorgesehen: Erzeugen einer Dielektrikumschicht auf dem SIMOX-Siliziumwafer und/oder einem Silizium-Trägerwafer, Waferbonden dieser Wafer derart, daß sie an ihren Vorderseiten miteinander verbunden werden, Aufbringen einer Ätzschutzschicht auf den Siliziumträgerwafer und rückseitiges Ätzen des SIMOX-Siliziumwafers bis zu der vergrabenen SIMOX-Oxidschicht.
(EN)A process is disclosed for producing a monocrystalline silicon layer separated by an embedded insulating layer from an underlying silicon substrate. Besides the process steps carried out in a SIMOX process which lead to a SIMOX wafer structure with an embedded SIMOX oxide layer and an overlying silicon layer, the following steps are provided: generating a dielectric layer on the SIMOX silicon wafer and/or a silicon substrate wafer, wafer bonding these wafers so they are bonded to each other by their front sides; applying an etching protection layer on the silicon substrate wafer and etching the back of the SIMOX silicon wafer down to the embedded SIMOX oxide layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de silicium monocristalline qui est séparée d'un substrat de silicium par une couche d'isolation noyée. Outre les opérations de base mises en ÷uvre dans un procédé SIMOX, qui servent à produire une structure en plaquettes SIMOX avec une couche d'oxyde noyée et une couche de silicium située sur cette dernière, les étapes suivantes sont prévues selon l'invention: fabrication d'une couche diélectrique sur la plaquette au silicium SIMOX et/ou sur une plaquette-support de silicium; connexion de ces plaquettes de manière à ce qu'elles soient reliées les unes aux autres au niveau de leurs faces avant; application d'une couche de protection contre l'attaque chimique sur la plaquette-support de silicium et attaque chimique à l'arrière de la plaquette de silicium-SIMOX jusqu'à la couche d'oxyde-SIMOX noyée.
Designierte Staaten: JP, US.
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)