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1. (WO1993019575) VERFAHREN ZUM VERLÖTEN VON LEITERPLATTEN UNTER NIEDERDRUCK
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1993/019575    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP1993/000624
Veröffentlichungsdatum: 30.09.1993 Internationales Anmeldedatum: 17.03.1993
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    27.09.1993    
IPC:
B23K 1/00 (2006.01), B23K 1/012 (2006.01), B23K 1/08 (2006.01), H05K 3/34 (2006.01)
Anmelder: LINDE AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Abraham-Lincoln-Strasse 21, D-6200 Wiesbaden (DE) (For All Designated States Except US).
WANDKE, Ernst [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: WANDKE, Ernst; (DE)
Vertreter: KASSECKERT, Rainer; Linde Aktiengesellschaft, Zentrale Patentabteilung, D-82049 Höllriegelskreuth (DE)
Prioritätsdaten:
P 42 09 134.9 20.03.1992 DE
P 42 25 378.0 31.07.1992 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM VERLÖTEN VON LEITERPLATTEN UNTER NIEDERDRUCK
(EN) PROCESS FOR SOLDERING PRINTED CIRCUIT BOARDS UNDER LOW PRESSURE
(FR) PROCEDE POUR BRASER DES CARTES IMPRIMEES A BASSE PRESSION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verlöten, insbesondere auch flußmittelfreien Verlöten, von mit Bauteilen bestückten Leiterplatten oder dergleichen, wobei der Lötvorgang und gegebenenfalls vorhandene vor-, zwischen-oder nachgeschaltete Schritte unter Niederdruck und unter der Plasmawirkung einer speziellen Prozeßgas-Atmosphäre durchgeführt werden.
(EN)The invention relates to a process for soldering printed circuit boards or the like fitted with components, especially without flux, in which the soldering process and any preceding, intermediate or following steps take place under low pressure and under the plasma effect of a special process gas atmosphere.
(FR)L'invention concerne un procédé de brasage, notamment de brasage sans décapant, de cartes imprimées ou similaires munies de composants, caractérisé par le fait que l'opération de brasage et éventuellement les étapes en amont, en aval et les étapes intermédiaires sont effectuées à basse pression et sous l'effet plastique d'une atmosphère spéciale d'un gaz spécifique au procédé.
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)