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1. (WO1992010855) MONOLITHISCH INTEGRIERTE HALBLEITERANORDNUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/1992/010855 Internationale Anmeldenummer PCT/DE1991/000909
Veröffentlichungsdatum: 25.06.1992 Internationales Anmeldedatum: 19.11.1991
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 15.05.1992
IPC:
H01L 27/082 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
08
ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art
082
ausschließlich mit bipolaren Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
06
gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche
Anmelder:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart, DE (AllExceptUS)
MICHEL, Hartmut [DE/DE]; DE (UsOnly)
FLOHRS, Peter [DE/DE]; DE (UsOnly)
GOERLACH, Alfred [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
MICHEL, Hartmut; DE
FLOHRS, Peter; DE
GOERLACH, Alfred; DE
Prioritätsdaten:
P 40 39 662.212.12.1990DE
Titel (DE) MONOLITHISCH INTEGRIERTE HALBLEITERANORDNUNG
(EN) MONOLITHIC INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF INTEGRE MONOLITHIQUE A SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung:
(DE) Es wird eine monolithisch integrierte Halbleiteranordnung vorgeschlagen, bei der an der Hauptoberfläche eines monolithisch integrierten npn-Transistors oder pnp-Transistors eine Deckelektrode (D1) zur internen Spannungsbegrenzung angebracht wird, die einen einzigen Übergangsbereich zwischen einer hochdotierten Zone (5) und dem schwachdotierten Substrat (1) überdeckt. Eine benachbarte hochdotierte Zone (4) wird von der Deckelektrode (D1) nicht überdeckt. Durch Anschluß der metallischen Deckelektrode (D1) an den Abgriff (12) eines Spannungsteilers (R1, R2) läßt sich eine Durchbruchsspannung einstellen, die größer ist als die Summe der Verarmungsdurchbruchsspannung und der Anreicherungsdurchbruchsspannung.
(EN) Proposed is a monolithic integrated semiconductor device with, fitted on the main surface of a monolithic integrated npn or pnp transistor, a cover electrode (D1) for internal voltage limitation which covers a single transition region between a highly doped zone (5) and the lightly doped substrate (1). An adjacent highly doped zone (4) is not covered by the electrode (D1). Connecting the metal cover electrode (D1) to the tap point (12) of a voltage splitter (R1, R2) enables a breakdown voltage to be set which is greater than the sum of the depletion-mode breakdown voltage and the enhancement-mode breakdown voltage.
(FR) Il est proposé un dispositif intégré monolithique à semi-conducteurs où, sur la surface principale d'un transistor npn ou transistor pnp intégré monolithique, une électrode de couverture (D1) est fixée pour la limitation interne de la tension, ladite électrode recouvrant une seule zone de transition entre une zone fortement dopée (5) et un substrat faiblement dopé (1). Une zone voisine fortement dopé (4) n'est pas recouverte par l'électrode de couverture (D1). Par raccordement de l'électrode de couverture métallique (D1) à la prise (12) d'un diviseur de tension (R1, R2), il est possible de régler une tension de claquage qui est plus élevée que la somme de la tension de claquage d'appauvrissement et de la tension de claquage d'enrichissement.
Designierte Staaten: JP, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
EP0561809ES2084836US5449949JPH06503444