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1. (WO1992010752) VERFAHREN ZUR ANALYSE EINER GASPROBE, ANALYSEANORDNUNG, VERWENDUNGEN DAVON UND TESTANLAGE MIT DER GENANNTEN ANORDNUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/1992/010752 Internationale Anmeldenummer PCT/CH1991/000244
Veröffentlichungsdatum: 25.06.1992 Internationales Anmeldedatum: 04.12.1991
IPC:
G01N 27/12 (2006.01) ,G01N 33/00 (2006.01) ,G01N 33/44 (2006.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
27
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Anwendung elektrischer, elektrochemischer oder magnetischer Mittel
02
durch Ermittlung der Impedanz
04
durch Untersuchen des Widerstandes
12
eines festen Körpers in Abhängigkeit von der Absorption einer Flüssigkeit; eines festen Körpers in Abhängigkeit von der Reaktion mit einem fließfähigen Medium
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
33
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch spezifische Methoden, soweit sie nicht von den Gruppen G01N1/-G01N31/153
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
33
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch spezifische Methoden, soweit sie nicht von den Gruppen G01N1/-G01N31/153
44
Harze; Kunststoffmassen; Gummi; Leder
Anmelder:
LEHMANN, Martin [CH/CH]; Obere Farnbühlstrasse 1 CH-5610 Wohlen 1, CH (AllExceptUS)
MATTER, Ulrich [CH/CH]; CH (UsOnly)
NUENLIST, René [CH/CH]; CH (UsOnly)
BURTSCHER, Heinz [CH/CH]; CH (UsOnly)
MUKROWSKY, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
MATTER, Ulrich; CH
NUENLIST, René; CH
BURTSCHER, Heinz; CH
MUKROWSKY, Michael; DE
Vertreter:
TROESCH SCHEIDEGGER WERNER AG; Siewerdtstrasse 95 CH-8050 Zürich, CH
Prioritätsdaten:
P 40 38 993.606.12.1990DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR ANALYSE EINER GASPROBE, ANALYSEANORDNUNG, VERWENDUNGEN DAVON UND TESTANLAGE MIT DER GENANNTEN ANORDNUNG
(EN) PROCESS FOR ANALYSING A GAS SAMPLE, ANALYSIS DEVICE, USES THEREOF AND TEST INSTALLATION WITH SAID DEVICE
(FR) PROCEDE POUR L'ANALYSE D'UN ECHANTILLON DE GAZ, DISPOSITIF D'ANALYSE, UTILISATIONS ET INSTALLATION D'ESSAI AVEC LE DISPOSITIF MENTIONNE
Zusammenfassung:
(DE) Zur Analyse rasch hintereinander anfallender Gasproben (G) wird diese dem Halbleitersensor (60a, b, c) zugeführt. Das Analyseverfahren wird dadurch beschleunigt, dass die Ausgangssignale der Halbleitersensoren in der Zeit (61) differenziert werden, und dass nacheinander anfallende Gasproben sequentiell (59) dem Halbleitersensor (60a bis 60c) zugeführt werden. In Zyklusphasen, in welchen den jeweiligen Halbleitersensoren (60a bis 60c) keine Gasprobe zugeführt wird, werden Zuleitungen und Gehäuse gasgespült (S), wobei durch Abstimmung des Spülgases und/oder durch Abstimmung der Strömungsverhältnisse zwischen Spülgas und Gasprobe im Halbleiterbereich die Auswirkung des Spülvorganges auf das Halbleiterausgangssignal (A) minimalisiert wird.
(EN) Rapid sequences of gas samples (G) are taken to a semiconductor sensor (60a, b, c) for analysis. The analysis procedure is accelerated by differentiating the semiconductor sensor output signals in time (61) and taking successive gas samples (59) to the semiconductor sensors (60a to 60c) sequentially. In cycle stages in which the semiconductor sensor concerned (60a to 60c) receives no gas samples, the lines and casing are flushed with gas (S). The effect of the flushing process on the semiconductor output signal (A) is minimised by adjusting the flushing gas and/or the flow rate ratio between the flushing gas and the gas sample in the semiconductor region.
(FR) Pour l'analyse d'échantillons de gaz (G) se succédant à brefs intervalles, ces échantillons sont apportés au capteur à semi-conducteurs (60a, b, c). Le processus d'analyse est accéléré par le fait que les signaux de sortie des capteurs à semi-conducteurs sont différenciés dans le temps (61) et que des échantillons de gaz successifs sont apportés séquentiellement au capteur à semi-conducteurs (60a à 60c). Dans les phases du cycle où aucun échantillon de gaz n'est apporté aux capteurs à semi-conducteurs (60a à 60c), une purge de gaz est effectuée dans les conduites d'admission et dans le boîtier, l'effet du processus de purge sur le signal de sortie (A) des semi-conducteurs étant réduit au minimum au niveau des semi-conducteurs par une adpatation du gaz de purge et/ou par une adaptation des conditions d'écoulement entre le gaz de purge et l'échantillon de gaz.
Designierte Staaten: AU, BB, BG, BR, CA, CS, FI, HU, JP, KP, KR, LK, MG, MW, NO, PL, RO, SD, SU, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
FI923536NO19923012EP0514532CA2074939AU1991089144