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1. WO1991019827 - VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BESCHICHTEN VON SUBSTRATMATERIAL

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

A N S P R Ü C H E

1. Verfahren zum Beschichten von Substratmaterial, bei welchem in einer Unterdruck aufweisenden Beschichtungskammer Beschichtungsmaterial in einem Ablationsbereich von einem Laserstrahl ablatiert wird, sich in Form eines Beschichtungsteilchenstroms in Richtung des Substratmaterials ausbreitet und auf diesem in Form einer
Beschichtung abgeschieden wird,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
daß das Substratmaterial Flachzeug ist, daß das Flachzeug als Endlosband durch die Beschichtungskammer kontinuierlich im wesentlichen unter Aufrechterhaltung des Unterdrucks hindurchgeführt und dabei beschichtet wird und daß der Beschichtungskammer das erforderliche Beschichtungsmaterial im wesentlichen unter Aufrechterhaltung des Unterdrucks zugeführt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Beschichtungsmaterial ohne Unterbrechung des Durchzugs des Endlosbandes zugeführt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Beschichtungsmaterial ohne Unterbrechung der Beschichtung auf dem Endlosband zugeführt wird.

4. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Auftragen einer gleichmäßigen Beschichtung auf dem Flachzeug der Beschichtungsteilchenstrom relativ zum Flachzeug mit einer
Komponente in Querrichtung zur Durchzugsrichtung des Endlosbandes bewegt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Beschichtungsteilchenstrom mit einer Komponente in der Querrichtung oszillierend verschwenkt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Beschichtungsteilchenstrom mit einer Komponente in der Querrichtung parallel verschoben wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Bewegung des Beschichtungsteilchenstroms mit einer Komponente in der Querrichtung ein Abstand zwischen dem Ablationsbereich und dem Flachzeug im wesentlichen konstant gehalten wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verschiebung des Beschichtungsteilchenstroms mit einer Komponente in der Querrichtung der Ablationsbereich mit einer Komponente in der Querrichtung verschoben wird.

9. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Ablationsbereiche vorgesehen sind.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der Ablationsbereiche in der Querrichtung so gewählt wird, daß sich die von den einzelnen Ablationsbereichen ausgehenden Beschichtungsteilchenströme im wesentlichen nicht überlagern.

11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der Ablationsbereiche so gewählt wird, daß sich die von diesen ausgehenden Beschichtungsteilchenströme überlagern.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand so gewählt wird, daß die einander überlagerten Beschichtungsteilchenströme einen Gesamtbe- schichtungsteilchenstrom mit einer im wesentlichen
konstanten Beschichtungsteilchenstromdichte bilden.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß bei den in der Querrichtung im
Abstand voneinander angeordneten Ablationsbereichen
nacheinander mit einem Laserstrahl ablatiert wird.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß bei den in der Querrichtung im
Abstand voneinander angeordneten Ablationsbereichen
gleichzeitig jeweils mit einem Laserstrahl ablatiert wird.

15. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß in der Durchzugsrichtung des Endlosbandes mehrere Ablationsbereiche für Beschichtungsmaterial aufeinanderfolgend angeordnet sind.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Beschichtungsmaterial in den in Durchzugsrichtung des Endlosbandes aufeinanderfolgend angeordneten
Ablationsbereichen unterschiedlich ist.

17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Flachzeug von einem in der Querrichtung im wesentlichen eine konstante Beschichtungs- teilchendichte aufweisenden ersten Beschichtungsteilchenstrom und gleichzeitig von einem in Durchzugsrichtung des Endlosbandes versetzt angeordneten, in der Querrichtung im wesentlichen eine konstante Beschich- tungsteilchenstromdichte aufweisenden zweiten Beschichtungsteilchenstrom beschichtet wird.

18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtungsteilchenströme dasselbe
Beschichtungsmaterial tragen.

19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtungsteilchenströme
unterschiedliches Beschichtungsmaterial tragen.

20. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Beschichtungsmaterial von einer Schmelze ablatiert wird.

21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch
gekennzeichnet, daß das Beschichtungsmaterial von einem Festkörper ablatiert wird.

22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß der Festkörper aus dem Beschichtungsmaterial hergestellt ist.

23. Verfahren nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, daß der Festkörper aus mehreren Beschichtungsmaterialien hergestellt ist.

24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Festkörper mehrere Beschichtungsmaterialien in räumlich voneinander getrennter Anordnung aufweist.

25. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Festkörper mehrere Beschichtungsmaterialien homogen vermischt aufweist.

26. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Beschichtungsmaterial in Form eines Targets in die Beschichtungskammer eingeführt wird.

27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Ablationsbereich an einem stirnseitigen Ende des
Targets aus Beschichtungsmaterial angeordnet ist.

28. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Ablationsbereich an einem vorderen mantelseitigen
Ende des Targets aus Beschichtungsmaterial angeordnet ist.

29. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß der Ablationsbereich durch eine
Relativbewegung zwischen dem Target und dem Laserstrahl wandert.

30. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß das Wandern des Ablationsbereichs zu einer konstant bleibenden Form des Targets in dessen ablatierten
Bereichen führt.

31. Verfahren nach einem der Ansprüche 29 oder 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Relativbewegung zwischen Laserstrahl und Target durch ein Bewegen des Laserstrahls
erfolgt.

32. Verfahren nach einem der Ansprüche 29 oder 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Relativbewegung zwischen Laserstrahl und Target durch eine Bewegung des Targets
erfolgt.

33. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 32, dadurch
gekennzeichnet, daß das Target als endloser Strang ausgebildet ist.

34. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß der Strang einen runden Querschnitt aufweist.

35. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß der Strang als Band ausgebildet wird.

36. Verfahren nach einem der Ansprüche 33 bis 35, dadurch
gekennzeichnet, daß der Strang durch eine Dichtschleuse in die Beschichtungskammer eingeführt und ständig nachgeführt wird.

37. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 32, dadurch
gekennzeichnet, daß das Target durch voneinander
getrennte Stücke aus Beschichtungsmaterial gebildet wird.

38. Verfahren nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, daß das Beschichtungsmaterial in diesen Stücken in die
Beschichtungskammer eingebracht wird.

39. Verfahren nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, daß die Stücke durch eine Schleuse in die Beschichtungskammer eingebracht werden.

40. Verfahren nach Anspruch 38 oder 39, dadurch gekennzeichnet, daß während des Ablatierens des Beschichtungsmaterials von einem Stück ein weiteres Stück in die
Beschichtungskammer eingebracht wird.

41. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß die Stücke die Form langgestreckter Zylinder aufweisen.

42. Verfahren nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, daß die Zylinder um ihre Zylinderachse rotierend gelagert sind.

43. Verfahren nach Anspruch 41 oder 42, dadurch gekennzeichnet, daß die Zylinderachse sich quer zur Bewegungsrichtung des Endlosbandes erstreckt.

44. Verfahren nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, daß die Zylinderachse im wesentlichen parallel zur Oberfläche des Flachzeugs ausgerichtet ist.

45. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß die Stücke in einer Magazinkammer angeordnet sind.

46. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 45, dadurch gekennzeichnet, daß die Stücke in einem Wendemagazin angeordnet sind.

47. Verfahren nach Anspruch 46, dadurch gekennzeichnet, daß die Stücke in dem Wendemagazin parallel zueinander ausgerichtet sind.

48. Verfahren nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, daß die Stücke in das Wendemagazin nachgeladen werden.

49. Verfahren nach einem der Ansprüche 46 bis 48, dadurch gekennzeichnet, daß das Wendemagazin in der Magazinkammer sitzt.

50. Verfahren nach einem der Ansprüche 45 bis 49, dadurch gekennzeichnet, daß die Magazinkammer und die Beschichtungskammer vakuumdicht voneinander trennbar sind.

51. Verfahren nach einem der Ansprüche 45 bis 50, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Magazinkammern vorgesehen sind.

52. Verfahren nach Anspruch 50 oder 51, dadurch gekennzeichnet, daß von mindestens einem Stück einer Magazinkammer ablatiert wird.

53. Verfahren nach Anspruch 52, dadurch gekennzeichnet, daß in der von der Beschichtungskammer vakuumdicht
getrennten Magazinkammer ein Ersetzen von durch die
Ablation verbrauchten Stücken erfolgt.

54. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 53, dadurch gekennzeichnet, daß die Stücke von mehreren Laserstrahlen gleichzeitig beaufschlagt sind und mehrere
Ablationsbereiche aufweisen.

55. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 54, dadurch gekennzeichnet, daß die Stücke sich in Querrichtung zur Bewegungsrichtung des Endlosbandes erstrecken.

56. Verfahren nach Anspruch 54, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablationsbereiche in der Querrichtung einen Abstand voneinander aufweisen.

57. Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 56, dadurch gekennzeichnet, daß durch eine Relativbewegung zwischen dem Stück und dem Laserstrahl der Ablationsbereich
wandert.

58. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Atome oder Moleküle des ablatierten Beschichtungsmaterials ohne chemisch im
Beschichtungsteilchenstrom zu reagieren die Beschichtung auf dem Flachzeug aufbauen.

59. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 57, dadurch
gekennzeichnet, daß die Atome oder Moleküle des
ablatierten Beschichtungsmaterials den Beschichtungsteilchenstrom mit einem diesen durchdringenden Reaktivgas zu einer zumindest einen Teil der Beschichtung auf dem Flachzeug bildenden chemischen Verbindung reagieren.

60. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Beschichtungsteilchenstrom auf seinem Weg zwischen dem Ablationsbereich und dem Flachzeug zur Verringerung eines
Beschichtungsteilchenstromdichtegradienten in diesem Beschichtungsteilchenstrom zusätzlich eingewirkt wird.

61. Verfahren nach Anspruch 60, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Beschichtungsteilchenstrom mittels weiterer
Teilchen eingewirkt wird.

62. Verfahren nach Anspruch 61, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Teilchen Gasteilchen sind.

63. Verfahren nach Anspruch 61 oder 62, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Teilchen in Form eines auf
den Beschichtungsteilchenstrom auftreffenden Teilchenstroms zugeführt werden.

64. Verfahren nach einem der Ansprüche 60 bis 63, dadurch
gekennzeichnet, daß der Beschichtungsteilchenstrom mit den weiteren Teilchen durch Stöße wechselwirkt.

65. Verfahren nach Anspruch 64, dadurch gekennzeichnet, daß der Beschichtungsteilchenstrom auf seinem Weg von dem
Ablationsbereich zum Flachzeug im Mittel mindestens
ungefähr einen Stoß mit den weiteren Teilchen durchführt.

66. Verfahren nach einem der Ansprüche 60 bis 65, dadurch
gekennzeichnet, daß der weitere Teilchenstrom mit einer
Komponente in Querrichtung zur Durchzugsrichtung des
Endlosbandes bewegt wird und durch diese Bewegung den
Beschichtungsteilchenstrom in der Querrichtung mitbewegt.

67. Verfahren nach einem der Ansprüche 61 bis 66, dadurch
gekennzeichnet, daß durch die weiteren Teilchen eine
Geschwindigkeitsmoderation der Beschichtungsteilchen im
Beschichtungsteilchenstrom durchgeführt wird.

68. Verfahren nach Anspruch 60 bis 67, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Beschichtungsteilchenstrom mittels einer Gasentladung eingewirkt wird.

69. Verfahren nach Anspruch 68, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasentladung eine Glimmentladung ist.

70. Verfahren nach Anspruch 69, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung mittels weiterer Entladungsteilchen aufrecht erhalten wird.

71. Verfahren nach Anspruch 70, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Entladungsteilchen mit dem Beschichtungsmaterialström wechselwirken.

72. Verfahren nach Anspruch 70 oder 71, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Entladungsteilchen mit dem
Beschichtungsmaterialstrom durch Stöße wechselwirken.

73. Verfahren nach einem der Ansprüche 69 bis 72, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung durch ein Magnetfeld stabilisiert wird.

74. Verfahren nach einem der Ansprüche 60 bis 73, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Beschichtungsteilchenstrom mittels Strahlung eingewirkt wird.

75. Verfahren nach Anspruch 74, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Beschichtungsteilchenstrom mittels elektromagnetischer Strahlung eingewirkt wird.

76. Verfahren nach Anspruch 74 oder 75, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Beschichtungsteilchenstrom mittels Elektronenstrahlung eingewirkt wird.

77. Verfahren nach einem der Ansprüche 60 bis 76, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Beschichtungsteilchenstrom zur Verringerung des Beschichtungsteilchenstrom- gradienten selektiv mittels Strahlung eingewirkt wird.

78. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß auf den Beschichtungsteilchenstrom auf seinem Weg zwischen dem Ablationsbereich und dem Flachzeug zur Verringerung von Energieunterschieden zwischen den Beschichtungsteilchen zusätzlich eingewirkt wird.

79. Verfahren nach Anspruch 78, dadurch gekennzeichnet, daß die Einwirkung auf den Beschichtungsteilchenstrom durch Ionen erfolgt.

80. Verfahren nach Anspruch 79, dadurch gekennzeichnet, daß die Einwirkung auf den Beschichtungsteilchenstrom
mittels einer Glimmentladung erfolgt.

81. Verfahren nach Anspruch 79 oder 80, dadurch gekennzeichnet, daß die Einwirkung auf den Beschichtungsteilchenstrom mittels eines elektronischen und/oder
magnetischen Feldes erfolgt.

82. Verfahren nach einem der Ansprüche 78 bis 81, dadurch gekennzeichnet, daß die Einwirkung auf den Beschichtungsteilchenstrom mittels Strahlung erfolgt.

83. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß auf die Beschichtung während ihres Wachstums auf dem Flachzeug zur Verbesserung der
Eigenschaften mittels energiereicher Teilchen eingewirkt wird.

84. Verfahren nach Anspruch 83, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Beschichtung mittels lonenbeschuß eingewirkt wird.

85. Verfahren nach Anspruch 84, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Beschichtung mittels einer Gasentladung eingewirkt wird.

86. Verfahren nach Anspruch 85, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Beschichtung mittels einer Glimmentladung eingewirkt wird.

87. Verfahren nach einem der Ansprüche 83 bis 86, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Beschichtung mittels
Elektronen eingewirkt wird.

88. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Endlosband vor und
hinter der Beschichtungskammer durch eine Schleuse
geführt ist.

89. Verfahren nach Anspruch 88, dadurch gekennzeichnet, daß das Endlosband in der Beschichtungskammer berührungslos geführt wird.

90. Verfahren nach Anspruch 88 oder 89, dadurch gekennzeichnet, das Endlosband in der Beschichtungskammer im wesentlichen in vertikaler Richtung geführt wird.

91. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Endlosband durch eine mechanische Endlosbandbereitstellungseinheit hergestellt wird.

92. Verfahren nach Anspruch 91, dadurch gekennzeichnet, daß auf die mechanische Endlosbandbereitstellungseinheit folgend ein Bandspeicher angeordnet ist.

93. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Endlosband vor dem
Beschichten mit Beschichtungsmaterial durch eine
chemische Vorbehandlungseinheit geführt wird.

94. Verfahren nach Anspruch 93, dadurch gekennzeichnet, daß die chemische Vorbehandlungseinheit eine alkalische
Entfettungseinheit umfaßt.

95. Verfahren nach Anspruch 94, dadurch gekennzeichnet, daß die alkalische Entfettungseinheit eine Spritzentfettung umfaßt.

96. Verfahren nach Anspruch 94 oder 95, dadurch gekennzeichnet, daß die alkalische Entfettungseinheit eine elektrolytische Entfettung umfaßt.

97. Verfahren nach Anspruch 96, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrolytische Entfettung auf die Spritzentfettung folgend angeordnet ist.

98. Verfahren nach Anspruch 97, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrolytische Entfettung von der Spritzentfettung durch eine Bürstmaschine getrennt ist.

99. Verfahren nach einem der Ansprüche 94 bis 98, dadurch gekennzeichnet, daß zum Abschluß der alkalischen
Entfettungseinheit eine Kaskadenspülung angeordnet ist.

100. Verfahren nach Anspruch 99, dadurch gekennzeichnet, daß der Kaskadenspülung eine Bürstmaschine vorgeschaltet ist.

101. Verfahren nach einem der Ansprüche 93 bis 100, dadurch gekennzeichnet, daß die chemische Vorbehandlungseinheit eine saure Dekapierung umfaßt.

102. Verfahren nach Anspruch 101, dadurch gekennzeichnet, daß die saure Dekapierung auf die alkalische Entfettungseinheit folgend angeordnet ist.

103. Verfahren nach Anspruch 101 oder 103, dadurch gekennzeichnet, daß die saure Dekapierung eine elektrolytische Zone umfaßt.

104. Verfahren nach Anspruch 103, dadurch gekennzeichnet, daß auf die elektrolytische Zone folgend eine Kaskadenspülung angeordnet ist.

105. Verfahren nach Anspruch 104, dadurch gekennzeichnet, daß der Kaskadenspülung eine Bürstmaschine vorgeschaltet ist.

106. Verfahren nach einem der Ansprüche 93 bis 105, dadurch gekennzeichnet, daß die chemische Vorbehandlungseinheit abschließend einen Trockner aufweist.

107. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß eine physikalische Vorbehandlungseinheit vorgesehen ist.

108. Verfahren nach Anspruch 107, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Vorbehandlungseinheit auf die
chemische Vorbehandlungseinheit folgt.

109. Verfahren nach Anspruch 107 oder 108, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Vorbehandlungseinheit eine Entgasungseinheit umfaßt.

110. Verfahren nach Anspruch 109, dadurch gekennzeichnet, daß in der Entgasungseinheit zur Unterstützung der
Desorption das Endlosband aufgeheizt und/oder Elektronenbeschuß und/oder lonenbeschuß und/oder Plasmastrahlung und/oder Laserlicht und/oder UV-Licht ausgesetzt wird.

111. Verfahren nach einem der Ansprüche 109 oder 110,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Aufrechterhaltung des
Drucks in der Entgasungseinheit dieser jeweils eine
Schleuse vor- und nachgesσhaltet ist.

112. Verfahren nach einem der Ansprüche 107 bis 111, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Vorbehandlungs- einheit eine Vorwärmeinheit aufweist.

113. Verfahren nach Anspruch 112, dadurch gekennzeichnet, daß in der Vorwärmeinheit eine Aufheizung des Endlosbandes unter Schutzgasatmosphäre durchgeführt wird.

114. Verfahren nach einem der Ansprüche 107 bis 113, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Vorbehandlungs- einheit eine physikalische Aktivierungseinheit umfaßt.

115. Verfahren nach Anspruch 114, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Aktivierungseinheit auf die
Entgasungseinheit folgend angeordnet ist.

116. Verfahren nach Anspruch 115, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Entgasungseinheit und der physikalischen Aktivierungseinheit die Vorwärmeinheit angeordnet ist.

117. Verfahren nach einem der Ansprüche 114 bis 116, dadurch gekennzeichnet, daß in der physikalischen Aktivierungseinheit eine Aktivierung des Flachzeuges durch Elektronenbeschuß und/oder lonenbeschuß und/oder Beschuß mit Plasmastrahlen und/oder Beschuß mit Laserlicht und/ oder Bestrahlung mit UV-Licht erfolgt.

118. Verfahren nach einem der Ansprüche 114 bis 117, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck in der physikalischen
Aktivierungseinheit größenordnungsmäßig gleich dem
Druck in der Beschichtungskammer ist.

119. Verfahren nach Anspruch 117, dadurch gekennzeichnet, daß der lonenbeschuß in der physikalischen Aktivierungseinheit mittels einer Glimmentladung erfolgt.

120. Verfahren nach Anspruch 119, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung durch ein Magnetfeld stabilisiert ist.

121. Verfahren nach Anspruch 119 oder 120, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung durch thermisch
emittierte Elektronen in einem Hilfsstromkreis unterstützt wird.

122. Verfahren nach einem der Ansprüche 119 bis 122, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung in einem Druckbereich von 10 bis 5 x 10 mbar erfolgt.

123. Verfahren nach einem der Ansprüche 119 bis 122, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung durch joch- förmige Anoden erzeugt wird.

124. Verfahren nach Anspruch 123, dadurch gekennzeichnet, daß in den jochförmigen Anoden Spulen zur Erzeugung des Magnetfeldes angeordnet sind.

125. Verfahren nach Anspruch 124, dadurch gekennzeichnet, daß die jochförmigen Anoden aus magnetisierbarem
Material sind.

126. Verfahren nach einem der Ansprüche 114 bis 125, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Aktivierungseinheit mehrere Aktivierungskammern umfaßt.

127. Verfahren nach einem der Ansprüche 114 bis 126, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Vorbehandlung vor dem Beschichtungsvorgang in einer von der Beschichtungskammer nicht getrennten Vorbehandlungskammer
erfolgt.

128. Verfahren nach einem der Ansprüche 114 bis 126, dadurch gekennzeichnet, daß die physikalische Aktivierung in einer von der Beschichtungskammer getrennten Vorbehandlungskammer erfolgt.

129. Vorrichtung zum Beschichten von Substratmaterial, bei welcher in einer Unterdruck aufweisenden Beschichtungskammer Beschichtungsmaterial in einem Ablationsbereich von einem Laserstrahl ablatierbar ist, sich in Form
eines Beschichtungsteilchenstroms in Richtung des
Substratmaterials ausbreitet und auf diesem in Form
einer Beschichtung abscheidbar ist,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
daß das Substratmaterial Flachzeug ist, daß das
Flachzeug als Endlosband durch die Beschichtungskammer kontinuierlich im wesentlichen unter Aufrechterhaltung des Unterdrucks hindurchführbar und dabei
beschichtbar ist und daß der Beschichtungskammer das erforderliche Beschichtungsmaterial im wesentlichen
unter Aufrechterhaltung des Unterdrucks zuführbar ist.

130. Vorrichtung nach Anspruch 129, dadurch gekennzeichnet, daß diese entsprechend den Merkmalen von einem oder
mehreren der Ansprüche 2 bis 128 ausgebildet ist.