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1. (WO1991010265) FELDEFFEKT-GESTEUERTES HALBLEITER-BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1991/010265    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP1990/002222
Veröffentlichungsdatum: 11.07.1991 Internationales Anmeldedatum: 18.12.1990
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    31.05.1991    
IPC:
H01L 29/74 (2006.01), H01L 29/745 (2006.01), H01L 29/749 (2006.01)
Anmelder: DAIMLER-BENZ AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Postfach 80 02 30, D-70546 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
KOREC, Jacek [PL/DE]; (DE) (For US Only).
NOWAK, Wolf-Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHLANGENOTTO, Heinrich [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KOREC, Jacek; (DE).
NOWAK, Wolf-Dieter; (DE).
SCHLANGENOTTO, Heinrich; (DE)
Vertreter: VOGL, Leo; AEG Aktiengesellschaft, Theodor-Stern-Kai 1, D-6000 Frankfurt/Main 70 (DE)
Prioritätsdaten:
P 39 42 490.1 22.12.1989 DE
Titel (DE) FELDEFFEKT-GESTEUERTES HALBLEITER-BAUELEMENT
(EN) FIELD-EFFECT-CONTROLLED SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR COMMANDE PAR EFFET DE CHAMP
Zusammenfassung: front page image
(DE)Zur Vereinigung des günstigen Durchlassverhaltens und des günstigen Ansteuerverhaltens eines MOS Controlled Thyristors (MCT) mit der Kurzschlussfestigkeit eines Insulated Gate Transistors (IGT) bei gleichzeitig erweitertem sicheren Arbeitsbereich (SOA), sind eine oder mehrere Hilfsemitterzonen (7) integriert, die keinen externen elektrischen Kontakt besitzen, sondern leistungslos feldeffektmässig gesteuert werden. Der kathodenkontaktierte Emitter (6) erstreckt sich über den gesamten Kathodenkontakt (10) und bildet zusammen mit der zweiten Basiszone (4, 5) eine Diodenstruktur. Bei Ansteuerung des integrierten MOS-FETs gewährleisten der Hilfsemitter (7) und die integrierte Diode (4, 6) eine verstärkte Überschwemmung des Bauelements mit Ladungsträgern. Die zweite Basiszone kann eine Teilzone (3) aufweisen, die zur Aufnahme der Spannung dient. In diesem Fall ist die erste Basiszone (2) höher dotiert als die Basiszone (3).
(EN)In order to combine the good transmission characteristics and good control characteristics of a MOS-controlled thyristor (MCT) wiht the resistance to shorting of an insulated-gate transistor (IGT), at the same time broadening the safe operating area (SOA), the invention calls for one or more auxiliary emitter zones (7), which have no external electrical contacts but are controlled by non-dissipative field-effect techniques, to be integrated with each other. The cathode-contacted emitter (6) extends over the whole cathode contact (10) and forms, together with the second base region (4, 5), a diode structure. When a control signal is sent to the integrated MOS-FET, the auxiliary emitter (7) and the integrated diode (4, 6) ensure that flooding of the component with charge carriers is intensified. The second base region can include a voltage pick-up zone (3). In this case, the first base region (2) is more highly doped than the voltage pick-up zone (3).
(FR)Pour associer les bonnes caractéristiques de conduction et les bonnes caractéristiques d'amorçage d'un thyristor MOS commandé (MCT) et la résistance aux courts-circuits d'un transistor à porte isolée (IGT) tout en élargissant l'aire de sécurité (SOA), on intègre une ou plusieurs zones d'émetteur secondaire (7) qui ne comportent pas de contact électrique extérieur et sont commandées sans puissance par effet de champ. L'émetteur à contact cathodique (6) s'étend sur la totalité du contact cathodique (10) et forme avec la deuxième zone de base (4, 5) une structure de diode. Lors de l'amorçage du transistor MOS à effet de champ, l'émetteur auxiliaire (7) et la diode intégrée (4, 6) produisent un afflux accru de porteurs de charge sur les composants. La deuxième zone de base peut présenter une zone partielle (3) qui sert à recevoir la tension. Dans ce cas, la première zone de base (2) est plus fortement dopée que la zone de base (3).
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)