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1. (WO1991010258) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER LAGE EINES PN-ÜBERGANGS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/1991/010258    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE1990/000899
Veröffentlichungsdatum: 11.07.1991 Internationales Anmeldedatum: 23.11.1990
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    20.04.1991    
IPC:
G01R 31/265 (2006.01), H01L 23/544 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
PLUNTKE, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
THIENEL, Christoph [DE/DE]; (DE) (For US Only).
DENNER, Volkmar [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: PLUNTKE, Christian; (DE).
THIENEL, Christoph; (DE).
DENNER, Volkmar; (DE)
Prioritätsdaten:
P 39 42 861.3 23.12.1989 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER LAGE EINES PN-ÜBERGANGS
(EN) PROCESS FOR DETERMINING THE POSITION OF A PN TRANSITION
(FR) PROCEDE POUR LA DETERMINATION DE LA POSITION D'UNE JONCTION PN
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Lage eines pn-Übergangs bzw. der Eindringtiefe der diffundierten Elektrode bei in Planartechnologie erstellten Halbleiter-Bauelementen. Erfindungsgemäß wird ein Testmuster mit einbelichtet, das aus N Paaren von Fenstern besteht, deren Abstand von Paar zu Paar zunimmt. Beim Diffusionsvorgang überlappen die entstehenden Wannen bei den enger liegenden Fensterpaaren, berühren sich bei einem Fensterpaar (n¿O?) und sind bei weiter auseinanderliegenden Fensterpaaren voneinander getrennt. Mit Hilfe einer Widerstandsmessung wird das Fensterpaar (n¿O?) ermittelt, bei dem sich die beiden Wannen gerade noch berühren, woraus sich die laterale Eindringtiefe Y¿j? als halber Abstand dieses Fensterpaares ergibt. Aus der lateralen Eindringtiefe kann die vertikale Eindringtiefe X¿j? über die Beziehung X¿j? = C . Y¿j? ermittelt werden. In Ausgestaltungen des Verfahrens ist weiter eine Korrekturmöglichkeit für die Differenz zwischen Layout- und Ätzmaß sowie eine weitere Möglichkeit der Ermittlung des exakten Wertes der lateralen Eindringtiefe Y¿jO? angegeben. Bei dieser Möglichkeit läßt sich die Dotierung des Materials, in das diffundiert wird, bestimmen.
(EN)The invention concerns a process for determining the position of a pn transition or the depth of penetration of the diffused electrode in semiconductor components produced by the planar method. According to the invention, a test mask is also exposed consisting of N pairs of windows set at increasing distances apart. In the diffusion process the cups overlap in the pairs of windows which are closer together, are in contact at one pair (n¿O?) and are separated at more widely spaced pairs. Resistance measurement is used to find the pair of windows (n¿O?) where the cups are still just in contact, from which may be found the lateral depth of penetration Y¿j? as half the distance between this pair of windows. From this figure it is possible to find the vertical penetration X¿j? via the formula X¿j? = C x Y¿j?. In embodiments of the process there is also a facility for correcting for the difference between the layout and etching dimension and a further facility for finding the exact value of the lateral depth of penetration Y¿jO?. With this facility it is possible to determine the doping of the material into which diffusion takes places.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé pour la détermination de la position d'une jonction pn ou de la profondeur de pénétration de l'électrode diffusée dans le cas de composants semiconducteurs réalisés en technologie planaire. Selon l'invention est également soumis à l'exposition un modèle d'essai se composant de N paires de fenêtres dont la distance augmente de paire en paire. Au cours du procédé de diffusion, les cuves produites se chevauchent dans le cas des paires de fenêtres les plus proches, se touchent dans le cas d'une paire de fenêtres (n¿O?) et sont séparées dans le cas de paires de fenêtres plus distantes. A l'aide d'une mesure de résistance, on détermine la paire de fenêtres (n¿O?) où les deux cuves se touchent tout juste, ce qui donne comme résultat la profondeur de pénétration latérale Y¿j? comme demi-distance de cette paire de fenêtres. La profondeur de pénétration latérale permet de déterminer la profondeur de pénétration verticale X¿j? par l'intermédiaire de la relation Y¿j? = C . Y¿j?. Dans des variations de ce procédé figure en outre une possibilité de correction de la différence entre mesure de layout et mesure de gravure par attaque ainsi qu'une autre possibilité de déterminer la valeur exacte de la profondeur de pénétration latérale Y¿jO?. Cette possibilité permet de déterminer la dopage du matériau dans lequel la diffusion a lieu.
Designierte Staaten: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)