Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
Einige Inhalte dieser Anwendung sind derzeit nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO1990007177) VERFAHREN ZUR EXAKTEN AUSFÜLLUNG EINER WANNENARTIGEN VERTIEFUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/1990/007177 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP1989/001277
Veröffentlichungsdatum: 28.06.1990 Internationales Anmeldedatum: 26.10.1989
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 09.04.1990
IPC:
G11B 5/127 (2006.01) ,G11B 5/31 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
B
Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler
5
Aufzeichnen durch Magnetisierung oder Entmagnetisierung eines Aufzeichnungsträgers; Wiedergabe durch magnetische Einrichtungen; Aufzeichnungsträger hierfür
127
Bauliche Ausbildung oder Herstellung von Köpfen, z.B. induktiven
G Physik
11
Informationsspeicherung
B
Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler
5
Aufzeichnen durch Magnetisierung oder Entmagnetisierung eines Aufzeichnungsträgers; Wiedergabe durch magnetische Einrichtungen; Aufzeichnungsträger hierfür
127
Bauliche Ausbildung oder Herstellung von Köpfen, z.B. induktiven
31
unter Verwendung von dünnen Schichten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20
Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
Anmelder:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
STEPHANI, Dietrich [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
STEPHANI, Dietrich; DE
Allgemeiner
Vertreter:
SIEMENS AG; Postfach 22 16 34 D-8000 München 22, DE
Prioritätsdaten:
P 38 42 246.815.12.1988DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR EXAKTEN AUSFÜLLUNG EINER WANNENARTIGEN VERTIEFUNG
(EN) PROCESS FOR FILLING A TROUGH-SHAPED DEPRESSION EXACTLY
(FR) PROCEDE POUR REMPLIR DE MANIERE PRECISE UN EVIDEMENT EN FORME D'AUGE
Zusammenfassung:
(DE) Bei dem Verfahren wird zunächst auf dem mit der Vertiefung (12) versehenen Substrat (3) ein schichtförmiges Vorprodukt (22) der herzustellenden Schicht unter Ausbildung einer der Substratvertiefung (12) entsprechenden Absenkung (25) abgeschieden. Dann wird die Absenkung (25) des Vorproduktes (22) weitgehend mit einer Hilfsschicht (26) ausgefüllt, wobei schmale rinnenartige Gräben (29) verbleiben. Anschließend wird dieser Aufbau mit einer hinreichend dicken Einebnungsschicht (30) versehen, wobei die Gräben (29) mit ausgefüllt werden. Schließlich werden die Einebnungsschicht (30) und die Hilfsschicht (26) vollständig sowie der aus der Substratvertiefung (12) herausragende Teil des Vorproduktes (22) bis zu der Ebene der Oberkante der Substratvertiefung (12) abgeätzt.
(EN) In the process, a layer of a preliminary product (22) of the layer to be formed is deposited on the substrate (3) provided with the depression (12), forming a cavity (25) corresponding to the depression (12) in the substrate. The cavity (25) of the preliminary product (22) is then almost filled with an auxiliary layer (26), leaving narrow, groove-like trenches (29). This structure is then provided with a levelling layer (30) thick enough to fill the trenches (29). Finally, the levelling layer (30) and the auxiliary layer (26) are completely removed by etching, and the part of the preliminary product (22) projecting above the depression (12) in the substrate is removed by etching to the level of the upper edge of the depression (12) in the substrate.
(FR) Il s'agit d'un procédé en plusieurs étapes. On dépose tout d'abord sur le substrat (3) doté de l'évidement (12) une couche d'un produit de départ (22) de la couche à constituer en y formant une cavité (25) correspondant à l'évidement (12). On remplit ensuite en grande partie cette cavité (25) du produit de départ (22) avec une couche auxiliaire (26), en laissant des fossés étroits (29) en forme de rigole. Puis on dote cette structure d'une couche de nivellement (30) suffisamment épaisse, en remplissant également les fossés (29). Finalement, on enlève par décapage toute la couche de nivellement (30) et toute la couche auxiliaire (26), ainsi que la partie du produit de départ (22) qui dépasse de l'évidement (12) du substrat, jusqu'à la hauteur du bord supérieur de l'évidement du substrat (12).
Designierte Staaten: JP, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)