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1. (WO1990006315) ALUMINIUM-, GALLIUM-, ODER INDIUM-ORGANISCHE VERBINDUNGEN UND IHRE VERWENDUNG ZUR GASPHASENABSCHEIDUNG DES METALLS AUF SUBSTRATEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/1990/006315 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP1989/001431
Veröffentlichungsdatum: 14.06.1990 Internationales Anmeldedatum: 27.11.1989
IPC:
C07F 5/00 (2006.01) ,C07F 5/06 (2006.01) ,C23C 16/18 (2006.01) ,C23C 16/20 (2006.01) ,C23C 16/30 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
5
Verbindungen, die Elemente der dritten Gruppe des Periodensystems enthalten
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
5
Verbindungen, die Elemente der dritten Gruppe des Periodensystems enthalten
06
Aluminiumverbindungen
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
06
gekennzeichnet durch das Abscheiden metallischer Stoffe
18
aus metallorganischen Verbindungen
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
06
gekennzeichnet durch das Abscheiden metallischer Stoffe
18
aus metallorganischen Verbindungen
20
Alleiniges Abscheiden von Aluminium
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
22
gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
30
Abscheiden von Verbindungen, Gemischen oder festen Lösungen, z.B. von Boriden, Carbiden, Nitriden
Anmelder:
MERCK PATENT GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG [DE/DE]; Frankfurter Strasse 250 D-64271 Darmstadt, DE (AllExceptUS)
ERDMANN, Dietrich [DE/DE]; DE (UsOnly)
POHL, Ludwig [DE/DE]; DE (UsOnly)
HOSTALEK, Martin [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
ERDMANN, Dietrich; DE
POHL, Ludwig; DE
HOSTALEK, Martin; DE
Allgemeiner
Vertreter:
MERCK PATENT GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG; Frankfurter Str. 250 D-6100 Darmstadt, DE
Prioritätsdaten:
P 38 41 643.310.12.1988DE
Titel (DE) ALUMINIUM-, GALLIUM-, ODER INDIUM-ORGANISCHE VERBINDUNGEN UND IHRE VERWENDUNG ZUR GASPHASENABSCHEIDUNG DES METALLS AUF SUBSTRATEN
(EN) ORGANOALUMINIUM, ORGANOGALLIUM AND ORGANOINDIUM COMPOUNDS AND THEIR USE FOR THE GAS-PHASE DEPOSITION OF METAL ON SUBSTRATES
(FR) COMPOSES ORGANIQUES D'ALUMINIUM, GALLIUM OU INDIUM ET LEUR UTILISATION POUR LE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DU METAL SUR DES SUBSTRATS
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft metallorganische Verbindungen, die intramolekular stabilisiert sind und eine cyclische oder bicyclische Struktur aufweisen sowie deren Verwendung zur Herstellung dünner Filme und epitaktischer Schichten durch Gasphasenabscheidung. Gegenstand der Erfindung sind somit die metallorganische Verbindung der Formel (I), worin M: Aluminium, Indium oder Gallium, Y: -NR3R4, -PR3R4, -AsR3R4, -SbR3R4, -F oder eine Perfluoralkylgruppe mit 1-7 C-Atomen, und die Symbole R1, R2, R3, R4 und X die in Anspruch 1 angegebene Bedeutung haben.
(EN) The invention relates to organometallic compounds which are intramolecularly stabilized and have a cyclic or bicyclic structure, and their use to produce thin films and epitactic layers by gas-phase deposition. The invention concerns an organometallic compound of the formula (I) where M is aluminium, indium or gallium, Y is -NR3R4, PR3R4, -AsR3R4, -SbR3R4, -F or a perfluoroalkyl group with 1-7 C-atoms and the symbols R1, R2, R3, R4 and X are as defined in claim 1.
(FR) Composés organométalliques à stabilisation intramoléculaire et à structure cyclique ou bicyclique, et leur utilisation pour obtenir des couches minces et des couches épitaxiales par dépôt chimique en phase vapeur. Ces composés organométalliques correspondent à la formule (I), où M représente aluminium, indium ou gallium, Y représente -NR3R4, -PR3R4, -AsR3R4, -SbR3R4, -F ou un groupe perfluoralkyle avec 1 à 7 atomes de C, les symboles R1, R2, R3, R4 et X ayant les significations indiquées dans la revendication 1.
Designierte Staaten: JP, KR, US
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, CH, DE, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
EP0399021US5099044KR1019910700254