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1. US20070164276 - Method for Forming Memory Layers

Amt Vereinigte Staaten von Amerika
Aktenzeichen/Anmeldenummer 11621756
Anmeldedatum 10.01.2007
Veröffentlichungsnummer 20070164276
Veröffentlichungsdatum 19.07.2007
Veröffentlichungsart A1
IPC
H01L 51/00
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
G11C 13/02
GPhysik
11Informationsspeicherung
CStatische Speicher
13Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C11/ , G11C23/ oder G11C25/215
02mit Elementen, deren Wirkungsweise auf chemischen Änderungen beruht
H01L 51/30
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
30Materialauswahl
H01L 51/40
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
40Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
Anmelder Qimonda AG
Erfinder Engl Reimund
Schumann Jorg
Walter Andreas
Sezi Recai
Maltenberger Anna
Vertreter EDELL, SHAPIRO & FINNAN, LLC
Prioritätsdaten 102004037151 30.07.2004 DE
Titel
(EN) Method for Forming Memory Layers
Zusammenfassung
(EN)

Layers are produced, where the layers include a first layer formed of a metal and a second layer formed of an organic compound, the metal and the organic compound entering into an interaction, so that the layer serves as an electroactive layer for nonvolatile memories, the metal layer being deposited onto a substrate and, if appropriate, patterned, then being coated with an organic compound and being treated with a second organic compound.