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1. KR1020210050597 - 나노구조를 엠보싱하기 위한 방법 및 장치

Amt
Republik Korea
Aktenzeichen/Anmeldenummer 1020217012962
Anmeldedatum 22.04.2014
Veröffentlichungsnummer 1020210050597
Veröffentlichungsdatum 07.05.2021
Erteilungsnummer 102394754
Erteilungsdatum 04.05.2022
Veröffentlichungsart B1
IPC
G03F 7/00
GSektion G Physik
03Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
FFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken ; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
H01L 21/027
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
027Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L21/18 oder H01L21/34178
H01L 29/06
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02Halbleiterkörper
06gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche
CPC
G03F 7/0002
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
H01L 21/0274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0274Photolithographic processes
H01L 29/0665
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0657characterised by the shape of the body
0665the shape of the body defining a nanostructure
Anmelder 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
Erfinder 크라인들, 제랄드
Vertreter 강명구
박윤원
Titel
(KO) 나노구조를 엠보싱하기 위한 방법 및 장치
Zusammenfassung
(KO) 본 발명은 나노구조 펀치(5)로부터 나노구조(13)를, 기판(7)에 제공된 경화성 재료(8)의 펀치 표면(14)에 엠보싱하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, 특히 다음의 순서로: - 나노구조(13)를 펀치 표면(14)에 대해 정렬하는 단계; - 펀치 표면(14)을 엠보싱하는 단계를 포함하되, 상기 엠보싱 단계는: (A) 나노구조 펀치(5)의 변형에 의해 나노구조 펀치(5)에 사전응력을 제공하거나 및/또는 기판(7)의 변형에 의해 기판(7)에 사전응력을 제공하고, (B) 나노구조 펀치(5)와 펀치 표면(14)의 부분 영역(15)을 접촉시키며, (C) 나노구조 펀치(5)에 사전응력을 제공하거나 및/또는 기판(7)에 사전응력을 제공함으로써, 적어도 부분적으로, 특히, 대부분, 나머지 영역(16)을 자동으로 접촉시켜 수행된다.