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1. KR1020180022835 - RRAM 디바이스들에서의 필라멘트 국소화, 에지 효과 감소, 및 형성/스위칭 전압 감소를 위한 기법들

Amt Republik Korea
Anmeldenummer 1020187002084
Anmeldedatum 27.06.2016
Veröffentlichungsnummer 1020180022835
Veröffentlichungsdatum 06.03.2018
Veröffentlichungsart A
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
45
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder 인텔 코포레이션
Erfinder 필라리세티, 라비
마지, 프라산트
샤, 우다이
무커지, 닐로이
카르포프, 엘리야
도일, 브라이언
차우, 로버트
Vertreter 양영준
김연송
백만기
Prioritätsdaten 14752934 27.06.2015 US
Titel
(KO) RRAM 디바이스들에서의 필라멘트 국소화, 에지 효과 감소, 및 형성/스위칭 전압 감소를 위한 기법들
Zusammenfassung
(KO)
본 개시내용은 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 디바이스를 형성하는 시스템 및 방법을 제공한다. 본 개시내용과 부합하는 RRAM 디바이스는 기판 및 그 상에 배치된 제1 전극을 포함한다. RRAM 디바이스는 제1 전극 상부에 배치된 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 RRAM 유전체 층을 포함한다. RRAM 유전체 층은 제2 전극과 RRAM 유전체 층 사이의 계면에서의 최상부 중심 부분에서 리세스를 가진다.

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