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1. JP2009527111 - 均質な金合金の製造方法、当該方法によって得られる均質な金合金、及び当該均質な金合金を有するボンディングワイヤ

Amt Japan
Aktenzeichen/Anmeldenummer 2008554662
Anmeldedatum 13.02.2007
Veröffentlichungsnummer 2009527111
Veröffentlichungsdatum 23.07.2009
Veröffentlichungsart A
IPC
H01L 21/60
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
50Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326180
60Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen
C22C 5/02
CChemie; Hüttenwesen
22Metallhüttenwesen; Eisen- oder Nichteisenlegierungen; Behandlung von Legierungen oder von Nichteisenmetallen
CLegierungen
5Legierungen auf der Basis von Edelmetallen
02Legierungen auf der Basis von Gold
CPC
C22C 5/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
5Alloys based on noble metals
02Alloys based on gold
C22C 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
1Making alloys
02by melting
H01L 24/45
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
45of an individual wire connector
H01L 2224/45015
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
45of an individual wire connector
45001Core members of the connector
4501Shape
45012Cross-sectional shape
45015being circular
H01L 2224/45144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
45of an individual wire connector
45001Core members of the connector
45099Material
451with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
45138the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
45144Gold (Au) as principal constituent
H01L 2924/00011
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
Anmelder ヘレーウス・マテリアルズ・テクノロジー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト
Erfinder アルブレヒト ビショフ
ルッツ シュレープラー
ホルガー ツィング
Vertreter 矢野 敏雄
久野 琢也
星 公弘
二宮 浩康
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
ラインハルト・アインゼル
Prioritätsdaten 102006006728.2 13.02.2006 DE
Titel
(JA) 均質な金合金の製造方法、当該方法によって得られる均質な金合金、及び当該均質な金合金を有するボンディングワイヤ
Zusammenfassung
(JA)

本発明は、金99質量%、特に99.9質量%及びカルシウム1〜1000ppm、特に10〜100ppm及びイッテルビウム又はユーロピウム又はイッテルビウムとユーロピウムとからの混合物1〜1000ppm、特に10〜100ppmを含有する金合金、及び、ユーロピウム及び/又はイッテルビウムを含有する均質な金合金の製造法に関する。

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