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1. EP3993265 - VERFAHREN ZUM SCHALTEN VON LEISTUNGSTRANSISTOREN

Amt
Europäisches Patentamt (EPA)
Aktenzeichen/Anmeldenummer 20465573
Anmeldedatum 27.10.2020
Veröffentlichungsnummer 3993265
Veröffentlichungsdatum 04.05.2022
Veröffentlichungsart A1
IPC
H03K 17/16
HSektion H Elektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
17Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
16Ausbildung von Schaltern zum Eliminieren von Störspannungen oder Störströmen
CPC
H03K 17/163
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
161in field-effect transistor switches
162without feedback from the output circuit to the control circuit
163Soft switching
H03K 17/166
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
161in field-effect transistor switches
165by feedback from the output circuit to the control circuit
166Soft switching
Anmelder VITESCO TECHNOLOGIES GERMANY GMBH
Erfinder LOERINCZ ROBERT ISTVAN -
ANTONGIROLAMI DIEGO -
ARABACKYJ MARC -
MASER MATTHIAS -
TAISTRA ERIC -
JOSEPH SAHAYA KULANDAI RAJ -
Designierte Staaten
Prioritätsdaten 20465573 27.10.2020 EP
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM SCHALTEN VON LEISTUNGSTRANSISTOREN
(EN) METHOD FOR SWITCHING POWER TRANSISTORS
(FR) PROCÉDÉ DE COMMUTATION DES TRANSISTORS DE PUISSANCE
Zusammenfassung
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schalten von Leistungstransistoren (HS, LS) in einer Leistungstransistorschaltung (1), wobei die Leistungstransistoren (HS, LS) jeweils ein Gate (G) aufweisen, das bei einer Einschaltsequenz und/oder einer Ausschaltsequenz sequentiell mit mindestens drei Steuerwerten (Ig1, Ig2, Ig3) angesteuert wird, zwischen denen zu bestimmten Zeitpunkten (t1, t2) umgeschaltet wird, wobei die Zeitpunkte (t1, t2) mittels eines Reglers (2.1) bestimmt oder modifiziert werden, der von einem Millerplateau-Detektor (2.2.) zur Detektion eines Millerplateaus (MP) in einer Gate-Source-Spannung (VGS) des jeweiligen Leistungstransistors (HS, LS) angesteuert wird.
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