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1. (EP2289107) SOLARZELLE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG

Amt : Europäisches Patentamt (EPA)
Anmeldenummer: 09761404 Anmeldedatum: 29.05.2009
Veröffentlichungsnummer: 2289107 Veröffentlichungsdatum: 02.03.2011
Veröffentlichungsart : B1
Designierte Staaten: AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR
Frühere PCT-Anm.: Anmeldenummer:EP2009003859 ; Veröffentlichungsnummer: Anklicken zur Anzeige der Daten
IPC:
H01L 31/0224
H01L 31/068
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
06
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
068
wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird, z.B. Solarzellen aus Bulk-Silizium mit PN-Homoübergang oder Dünnschichtsolarzellen aus polykristallinem Silizium mit PN-Homoübergang
CPC:
H01L 31/0682
H01L 31/02245
H01L 31/0504
H01L 31/1804
Y02E 10/547
Y02P 70/521
Anmelder: FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
Erfinder: BIRO DANIEL
CLEMENT FLORIAN
SCHULTZ-WITTMANN OLIVER
Prioritätsdaten: 102008027780 11.06.2008 DE
2009003859 29.05.2009 EP
Titel: (DE) SOLARZELLE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE) Die Erfindung betrifft eine Solarzelle, umfassend ein Halbleitersubstrat mit einer Vorder- und einer im Wesentlichen dazu parallelen Rückseite, eine Vorderseitenmetallisierung und eine Rückseitenmetallisierung und mindestens drei Dotierbereiche mit mindestens zwei unterschiedlichen Leitfähigkeittypen, an der Vorderseite des Halbleitersubstrates ist ein erster, sich im wesentlichen über die gesamte Vorderseite erstreckender Dotierbereich eines ersten Leitfähigkeittyps angeordnet, an der Rückseite des Halbleitersubstrates ist ein zweiter, sich teilweise über die Rückseite erstreckender Dotierbereich eines zweiten, zu dem ersten Leitfähigkeittyps entgegengesetzten Leitfähigkeittyps angeordnet und an der Rückseite ist ein dritter, sich teilweise über die Rückseite erstreckender Dotierbereich des ersten Leitfähigkeittyps angeordnet, wobei die Vorderseitenmetallisierung mit dem ersten Dotierbereich und die Rückseitenmetallisierung mit dem zweiten Dotierbereich elektrisch leitend verbunden ist und die Solarzelle eine elektrisch leitende Verbindung aufweist, welche den dritten Dotierbereich mit der Vorderseitenmetallisierung und/oder dem ersten Dotierbereich elektrisch leitend verbindet.
(EN) The invention relates to a solar cell comprising a semiconductor substrate with a front face and a rear face running substantially parallel thereto, a front face metallisation, a rear face metallisation and at least three doped regions having at least two different conductivity types: a first doped region with a first conductivity type is located on the front face of the semiconductor substrate and extends substantially over the entire front face; a second doped region with the opposite conductivity type to that of the first conductivity type is located on the rear face and extends partially over said face; and a third doped region with the first conductivity type is located on the rear face and extends partially over said face. The front face metallisation is connected to the first doped region and the rear face metallisation is connected to the second doped region in an electrically conductive manner and the solar cell has an electrically conductive connection which connects the third doped region to the front face metallisation and/or the first doped region.
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire comprenant un substrat semi-conducteur qui présente une face avant et une face arrière sensiblement parallèle à la face avant, une métallisation de face avant, une métallisation de face arrière et au moins trois régions de dopage présentant au moins deux types de conductivité différents : une première région de dopage d'un premier type de dopage, qui s'étend sensiblement sur toute la face avant du substrat semi-conducteur, une deuxième région de dopage d'un second type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, qui s'étend partiellement sur la face arrière du substrat semi-conducteur, ainsi qu'une troisième région de dopage du premier type de conductivité, qui s'étend partiellement sur la face arrière du substrat semi-conducteur. La métallisation de face avant est reliée de façon électroconductrice à la première région de dopage et la métallisation de face arrière est reliée de façon électroconductrice à la deuxième région de dopage. La cellule solaire présente une liaison électroconductrice qui permet de relier de façon électroconductrice la troisième région de dopage à la métallisation de face avant et/ou à la première région de dopage.
Also published as:
JP2011524088US20110155239CN102257642IN4749/KOLNP/2010WO/2009/149841