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1. EP0699625 - Verfahren zur Raffination von Silicium

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

Ansprüche

1. Verfahren zur Entfernung von Verunreinigungen aus geschmolzenem Silicium (4) durch Behandlung von geschmolzenem Silicium (4), das in einem Behälter (2) enthalten ist, mit einer Schlacke (5), mit der Verunreinigungen, insbesondere Bor aus geschmolzenem Silicium (4) entfernt werden können,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schlacke (5) kontinuierlich oder praktisch kontinuierlich dem geschmolzenen Silicium (4) zugesetzt und daß die Schlacke (6) kontinuierlich oder praktisch kontinuierlich inaktiviert oder aus der Siliciumschmelze (4) entfernt wird, sobald ein Gleichgewicht zwischen der Schlacke und dem geschmolzenen Silicium (4) im Hinblick auf das oder die zu entfernenden Verunreinigungs-Elemente erreicht worden ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schlacke (6) durch Zusatz einer oder mehrerer Ingredienzen, die die Dichte der Schlacke (6) erhöhen, inaktiviert wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schlacke (6) Bariumverbindungen und/oder Strontiumverbindungen zugesetzt werden, um die Dichte der Schlacke (6) zu erhöhen.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schlacke (5), die eine höhere Dichte als das geschmolzene Silicium (4) aufweist, kontinuierlich oder praktisch kontinuierlich dem oberen Teil der Siliciumschmelze (4) zugeführt und kontinuierlich oder praktisch kontinuierlich aus dem Bodenteil des Behälters (2), in dem die Behandlung durchgeführt wird, abgezogen wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schlacke (5), die eine höhere Dichte als das geschmolzene Silicium (4) aufweist, kontinuierlich oder praktisch kontinuierlich dem oberen Teil der Siliciumschmelze (4) zugeführt und als Schlackenschicht (6) dem Boden des Behälters (2), in dem die Behandlung durchgeführt wird, sich absetzen gelassen wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schlackenschicht (6) auf einer niedrigeren Temperatur als die Siliciumschmelze (4) gehalten.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schlacke, die eine geringere Dichte als Silicium aufweist, der Siliciumschmelze (4) durch den Bodenteil oder durch den unteren Teil der Wand des Behälters (2), der das geschmolzene Silicium (4) enthält, zugeführt und in der Siliciumschmelze (4) nach oben steigen gelassen wird, wo sie kontinuierlich oder praktisch kontinuierlich abgezogen wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schlackenbehandlung mittels des Gegenstroms von Schlacke und Silicium durchgeführt wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstrom von Schlacke und Silicium durch Bewegung von Siliciumschmelze und Schlackenschmelze im Gegenstrom durch zwei oder mehrere Behälter erzeugt wird.