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1. (EP2789013) HOCHSTROM- UND HOCHSPANNUNGS-GAN-FELDEFFEKTTRANSISTOREN UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG

Amt : Europäisches Patentamt (EPA)
Anmeldenummer: 12856419 Anmeldedatum: 15.05.2012
Veröffentlichungsnummer: 2789013 Veröffentlichungsdatum: 15.10.2014
Veröffentlichungsart : A1
Designierte Staaten: AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LI,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR
IPC:
H01L 29/778
H01L 21/335
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
778
mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334
Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335
Feldeffekt-Transistoren
CPC:
H01L 29/66462
H01L 21/31144
H01L 29/2003
H01L 29/402
H01L 29/42316
H01L 29/7786
Anmelder:
Erfinder:
Prioritätsdaten: 201113312406 06.12.2011 US
2012038013 15.05.2012 US
Titel: (DE) HOCHSTROM- UND HOCHSPANNUNGS-GAN-FELDEFFEKTTRANSISTOREN UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
(EN) HIGH CURRENT HIGH VOLTAGE GAN FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP AU GAN À HAUT COURANT ET À HAUTE TENSION ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung:
Auch veröffentlicht als:
CN104094408WO/2013/085566