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1. (EP0214289) INTEGRIERTE FOTOSENSOR-VERSTÄRKER-ANORDNUNG.

Amt : Europäisches Patentamt (EPA)
Anmeldenummer: 86902587 Anmeldedatum: 03.02.1986
Veröffentlichungsnummer: 0214289 Veröffentlichungsdatum: 18.03.1987
Veröffentlichungsart : B1
PCT-Aktenzeichen: Anmeldenummer: US1986000234 ; Veröffentlichungsnummer: Anklicken zur Anzeige der Daten
IPC:
H 01L
H01L 27/14
H01L 27/144
H01L 27/146
H01L 31/10
H01L 31/105
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
101
Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen
102
gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
105
wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird
CPC:
H01L 31/105
H01L 27/1443
Anmelder: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY
Erfinder: CHENG, JULIAN
DELOACH, BERNARD, COLLINS, JR.
FORREST, STEPHEN, ROSS
Prioritätsdaten: 06700441 11.02.1985 US
Titel: (DE) INTEGRIERTE FOTOSENSOR-VERSTÄRKER-ANORDNUNG.
(EN) INTEGRATED PHOTODETECTOR-AMPLIFIER DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTODETECTEUR-AMPLIFICATEUR INTEGRE.
Zusammenfassung: front page image
(EN) An integrated photodetector-amplifier structure which features a p-region (21), intrinsic region (12), n-region photodetector (11) (PIN photodetector) and a self-aligned junction field-effect transistor (JFET) incorporated in the same integrated circuit. The photodetector is back illuminated, features a buried p-n junction so as to avoid surface leakage, vertical integration so that partial regrowth is not needed, and an air bridge (20) to isolate the capacitance of the PIN electrode (18) from the JFET structure. The invention includes integrated structures with more than one PIN and/or more than one JFET element.
(FR) Structure de photodétecteur-amplificateur intégré présentant un photodétecteur possédant une région n (11), une région p (21) et une région intrinsèque (12), (photodétecteur PIN) et un transistor à effet de champ à jonction auto-alignée (JFET) incorporée dans le même circuit intégré. Le photodétecteur est éclairé par l' arrière, présente une jonction p-n noyée de manière à éviter les fuites en surface, une intégration verticale rendant superflue une croissance partielle, et un pont d'air (20) pour isoler la capacitance de l'électrode PIN (18) de la structure JFET. L'invention comprend des structures intégrées avec plus d'un PIN et/ou plus d'un élément JFET.
Auch veröffentlicht als:
WO/1986/004735