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1. DE102004037151 - Verfahren zur Bildung von Speicherschichten

Amt Deutschland
Aktenzeichen/Anmeldenummer 102004037151
Anmeldedatum 30.07.2004
Veröffentlichungsnummer 102004037151
Veröffentlichungsdatum 23.03.2006
Veröffentlichungsart A1
IPC
H01L 51/4
C23C 28/00
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
28Beschichten zur Herstellung von mindestens zwei übereinanderliegenden Schichten entweder durch Verfahren, die nicht in einer einzelnen der Hauptgruppen C23C2/-C23C26/203
C07F 5/00
CChemie; Hüttenwesen
07Organische Chemie
FAcyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
5Verbindungen, die Elemente der Gruppen 3 oder 13 des Periodensystems enthalten
C07F 19/00
CChemie; Hüttenwesen
07Organische Chemie
FAcyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
19Metallverbindungen, die von mehr als einer der Hauptgruppen C07F1/-C07F17/111
H01L 27/24
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
24mit Festkörperschaltungselementen zum Gleichrichten, Verstärken oder Schalten ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
C07F 1/08
CChemie; Hüttenwesen
07Organische Chemie
FAcyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
1Verbindungen, die Elemente der Gruppen 1 oder 11 des Periodensystems enthalten
08Kupferverbindungen
CPC
G11C 13/0014
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
0014comprising cells based on organic memory material
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G11C 2213/11
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
10Resistive cells; Technology aspects
11Metal ion trapping, i.e. using memory material including cavities, pores or spaces in form of tunnels or channels wherein metal ions can be trapped but do not react and form an electro-deposit creating filaments or dendrites
H01L 51/0003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0003using liquid deposition, e.g. spin coating
H01L 51/0036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
H01L 51/0051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0051Charge transfer complexes
Anmelder INFINEON TECHNOLOGIES AG
Erfinder ENGL REIMUND
MALTENBERGER ANNA
SCHUMANN JOERG
SEZI RECAI
WALTER ANDREAS
Titel
(DE) Verfahren zur Bildung von Speicherschichten
Zusammenfassung
(DE)

Der Gegenstand der vorliegenden Anmeldung ist ein Verfahren zur Herstellung von Schichten, bestehend aus einer ersten Schicht aus einem Metall und einer zweiten Schicht einer organischen Verbindung, wobei das Metall und die organische Verbindung eine Wechselwirkung eingehen, so dass die Schicht als elektroaktive Schicht für nichtflüchtige Speicher dient, wobei die Metallschicht auf ein Substrat abgeschieden und gegebenenfalls strukturiert wird, anschließend mit einer organischen Verbindung beschichtet wird und mit einer zweiten organischen Verbindung behandelt wird.