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1. (CN109478764) Hetero-structure-based integrated photonic devices, methods and applications

Amt : China
Anmeldenummer: 201780042709.X Anmeldedatum: 02.06.2017
Veröffentlichungsnummer: 109478764 Veröffentlichungsdatum: 15.03.2019
Veröffentlichungsart : A
PCT-Aktenzeichen: Anmeldenummer: PCTUS2017035646 ; Veröffentlichungsnummer: Anklicken zur Anzeige der Daten
IPC:
H01S 5/02
H01S 5/22
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
20
Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
22
mit einer Kammstruktur [ridge structure] oder einer Streifenstruktur [stripe structure]
Anmelder: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.
佛罗里达中央大学研究基金会
Erfinder: CHILES JEFFREY
J·齐利斯
FATHPOUR SASAN
S·法特波尔
Vertreter: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
Prioritätsdaten: 62/345,393 03.06.2016 US
Titel: (EN) Hetero-structure-based integrated photonic devices, methods and applications
(ZH) 基于异质结构的集成光子装置、方法和应用
Zusammenfassung: front page image
(EN) An integrated photonic structure and a method of fabrication are provided which includes: a substrate having at least one opening disposed therein; a semiconductor stack disposed above the substrate,the semiconductor stack being, at least in part, isolated from the underlying substrate by the at least one opening to define a suspended semiconductor membrane; and a first doped region and a seconddoped region located within the suspended semiconductor membrane, wherein the first doped region is laterally separated from the second doped region by an optically active region disposed therein thatdefines a waveguiding region of the integrated photonic structure.
(ZH) 提供一种集成光子结构和一种制造方法,其包含:衬底,其具有至少一个安置在其中的开口;半导体堆叠,其安置在所述衬底上方,所述半导体堆叠至少部分通过所述至少一个开口与所述底层衬底隔离,以界定悬置半导体膜;以及第一掺杂区和第二掺杂区,其位于所述悬置半导体膜内,其中所述第一掺杂区通过安置在其中的光学活性区与所述第二掺杂区横向分隔开,所述光学活性区界定所述集成光子结构的波导区。
Auch veröffentlicht als:
WO/2017/210534