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1. (CN104094408) High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same

Amt : China
Anmeldenummer: 201280059254.X Anmeldedatum: 15.05.2012
Veröffentlichungsnummer: 104094408 Veröffentlichungsdatum: 08.10.2014
Veröffentlichungsart : A
PCT-Aktenzeichen: Anmeldenummer: PCTUS2012038013 ; Veröffentlichungsnummer: Anklicken zur Anzeige der Daten
IPC:
H01L 29/778
H01L 21/335
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
778
mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334
Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335
Feldeffekt-Transistoren
Anmelder: HRL LABORATORIES, LLC
Erfinder: CHU RONGMING
LI ZIJIAN RAY
BOUTROS KARIM S.
BURNHAM SHAWN
Vertreter: chen yuan cui limei
Prioritätsdaten: 13/312,406 06.12.2011 US
Titel: (EN) High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same
(ZH) 高电流高电压GaN场效应晶体管及其制造方法
Zusammenfassung: front page image
(EN) A field effect transistor (FET) having a source contact to a channel layer, a drain contact to the channel layer, and a gate contact on a barrier layer over the channel layer. The (FET) includes a dielectric layer on the barrier layer between the source contact and the drain contact and over the gate contact, and a field plate on the dielectric layer. The field plate is connected to the source contact and extends over a space between the gate contact and the drain contact. The field plate comprises a sloped sidewall in the space between the gate contact and the drain contact.
(ZH)

一种场效应晶体管(FET)具有与沟道层接触的源极接点、与沟道层接触的漏极接点、以及在沟道层之上的势垒层上的栅极接点,该FET包括:在源极接点和漏极接点之间的势垒层上并且覆盖栅极接点的电介质层;以及在电介质层上的场板,该场板连接至源极接点并且延伸超过栅极接点和漏极接点之间区域,并且该场板包含位于栅极接点和漏极接点之间区域的倾斜侧壁。


Auch veröffentlicht als:
EP2789013WO/2013/085566