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1. (JP2015504620) プラグを備える事前圧壊された容量マイクロマシン・トランスデューサセル

Amt : Japan
Anmeldenummer: 2014537759 Anmeldedatum: 15.10.2012
Veröffentlichungsnummer: 2015504620 Veröffentlichungsdatum: 12.02.2015
Erteilungsnummer: 5961697 Erteilungsdatum: 01.07.2016
Veröffentlichungsart : B2
IPC:
H04R 31/00
H04R 19/00
H01L 29/84
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
R
Lautsprecher, Mikrofone, Schallplatten-Tonabnehmer oder ähnliche akustische, elektromechanische Wandler; Hörhilfen für Schwerhörige; Großlautsprecheranlagen
31
Geräte oder Verfahren, die in besonderer Weise für das Herstellen von Umformern oder von deren Membranen ausgebildet sind
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
R
Lautsprecher, Mikrofone, Schallplatten-Tonabnehmer oder ähnliche akustische, elektromechanische Wandler; Hörhilfen für Schwerhörige; Großlautsprecheranlagen
19
Elektrostatische Umformer
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
84
steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck
Anmelder: コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
Erfinder: ディルクセン ペーター
デッケル ロナルト
ヘンネケン ヴィンセント アドリアヌス
レーウェンステイン アドリアーン
マーセリス バウト
フラセル ヨン ダウフラス
Vertreter: 津軽 進
笛田 秀仙
五十嵐 貴裕
Prioritätsdaten: 61/552,485 28.10.2011 US
Titel: (JA) プラグを備える事前圧壊された容量マイクロマシン・トランスデューサセル
Zusammenfassung:
(JA)

本発明は、事前圧壊容量マイクロマシン・トランスデューサセル10に関し、このセルは、基板12と、総メンブレン領域Atotalを覆うメンブレン14とを有する。キャビティ20は、上記メンブレン14及び上記基板12の間に形成され、上記メンブレン14は、穴15及び上記穴15を囲むエッジ部分14aを有する。上記メンブレン14のエッジ部分14aは、上記基板12に対して圧壊される。セルは、上記メンブレン14の穴15に配置されるプラグ30を更に有する。上記プラグ30が、上記総メンブレン領域AtotalのサブエリアAsubにおいてのみ配置される。本発明は、斯かる事前圧壊容量マイクロマシン・トランスデューサセル10を製造する方法に更に関する。


Also published as:
EP2747904CN103906579US20140247698MX343897RU2014121503RU0002595800
BR112014009698ID2015/02340IN3090/CHENP/2014WO/2013/061204