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1. JP2009272633 - METHOD FOR PRODUCING EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER

Amt Japan
Aktenzeichen/Anmeldenummer 2009112411
Anmeldedatum 07.05.2009
Veröffentlichungsnummer 2009272633
Veröffentlichungsdatum 19.11.2009
Erteilungsnummer 5232719
Erteilungsdatum 29.03.2013
Veröffentlichungsart B2
IPC
H01L 21/205
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
205durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung
CPC
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 25/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
10Heating of the reaction chamber or the substrate
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
02Heat treatment
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
Anmelder SILTRONIC AG
ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
Erfinder SCHAUER REINHARD
ラインハルト シャウアー
HAGER CHRISTIAN
クリスティアン ハーガー
Vertreter 特許業務法人深見特許事務所
Prioritätsdaten 10 2008 023 054.5 09.05.2008 DE
Titel
(EN) METHOD FOR PRODUCING EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER
(JA) エピタキシャル被覆された半導体ウェハの製造方法
Zusammenfassung
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epitaxially coated semiconductor wafer free of stress while avoiding demerit of preceding techniques.

SOLUTION: In the method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer, a semiconductor wafer having at least the front side polished is provided and is placed on a susceptor in a single-wafer epitaxy reactor and is coated by applying an epitaxial layer on the polished front side by chemical vapor deposition at a temperature of 1,000 to 1,200C. In this method, the semiconductor wafer is cooled in the temperature range from 1,200 to 930C at a rate of less than 5C per second.

COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

(JA)

【課題】先行技術の欠点を回避しながら応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供すること
【解決手段】少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、1000〜1200℃の温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを1200〜900℃の温度範囲で、1秒あたり5℃より低い速度で冷却する、エピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法
【選択図】なし