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1. WO2017032713 - SINTERFILTER AUS POLYKRISTALLINEM SILICIUM

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]

Patentansprüche

1 . Sinterfilter aus polykristallinem Silicium, umfassend aggregierte Partikel aus

polykristallinem Siliciumgranulat.

2. Sinterfilter nach Anspruch 1 , wobei das polykristalline Siliciumgranulat eine

Partikelgröße von 150-4000 μιτι und vorzugweise eine Partikelgröße von 300-2000 μιτι aufweist.

3. Verfahren zur Herstellung eines Sinterfilters nach Anspruch 1 oder nach Anspruch 2 durch Reaktionssintern von polykristallinem Siliciumgranulat bei einer

Temperatur von 600-1400°C mit Hilfe eines Silicium enthaltenden Gases.

4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei ein Chlorsilan haltiges Gas zugegen ist.

5. Verfahren nach Anspruch 3 oder nach Anspruch 4, wobei es bei einem Druck von 1 bis 20 bar absolut und vorzugweise bei einem Druck von 1 bis 6 bar absolut durchgeführt wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei das Reaktionssintern bei einer Temperatur von 800-1200°C erfolgt.

7. Wirbelschichtreaktor zur Herstellung von polykristallinem Siliciumgranulat,

umfassend einen Behälter mit einem Innen-Reaktorrohr für eine Wirbelschicht aus polykristallinem Siliciumgranulat und einem Reaktorboden, eine Heizvorrichtung zum Heizen der Wirbelschicht im Innen-Reaktorrohr, wenigstens eine Öffnung im Reaktorboden zur Zuführung von Fluidisierungsgas sowie wenigstens eine

Öffnung im Reaktorboden zur Zuführung von Reaktionsgas, eine Vorrichtung zum Abführen von Reaktorabgas, eine Zuführeinrichtung, um Siliciumkeimpartikel zuzuführen sowie eine Entnahmeleitung für polykristallines Siliciumgranulat, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine der Öffnungen im Reaktorboden mit einem Sinterfilter aus polykristallinem Silicium ausgestattet ist.

8. Verwendung eines Sinterfilters nach Anspruch 1 oder nach Anspruch 2, der einen definierten Durchlassgrad aufweist, zur gleichmäßigen Verteilung von Eduktgas in den Reaktionsraum bei einem Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium.

9. Verwendung eines Sinterfilters nach Anspruch 1 oder nach Anspruch 2 zur

Filtrierung von nicht mit Silicium reagierenden Gasen oder Flüssigkeiten in einem Temperaturbereich von -100°C bis +1200°C.

10.Verwendung eines Sinterfilters nach Anspruch 1 oder nach Anspruch 2 als

Rückstromsperre für Feststoffpartikel.