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1. WO2021069598 - GASAUSLASSORGAN EINES CVD-REAKTORS

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]

Ansprüche

1. CVD-Reaktor mit einem Gehäuse (1),

mit einem im Gehäuse (1) angeordneten, um eine Drehachse (A) in einer Drehebene drehantreibbaren Suszeptor (2) zur Aufnahme ein oder mehre rer Substrate (3),

mit einer Heizeinrichtung (9) zum Beheizen des Suszeptors (2),

mit einem Gaseinlassorgan (4) zum Einspeisen von Prozessgasen in eine Prozesskammer (5),

mit einem Gasauslassorgan (6) zum Auslass der Prozessgase und/ oder Zerlegungsprodukte der Prozessgase,

wobei das Gasauslassorgan (6) ein Oberteil (11) mit ringförmig um den

Suszeptor (2) angeordneten Gasauslassöffnungen (7) aufweist,

die in einen Gassammelkanal (8) eines Unterteils (12) des Gasauslassorga nes (6) münden,

und mit einer mit ihrem radial äußeren Rand (13) am Unterteil (12) des Gasauslassorgans (6) befestigten, zwischen Suszeptor (2) und Heizeinrich- tung (9) angeordneten Platte (10),

dadurch gekennzeichnet, dass der radial äußere Rand (13) in einem Schlitz (14) steckt,

mit einer ersten Breitseite (10') an einer vom Oberteil (11) gebildeten ers- ten Schlitzwand (15) und

mit einer zweiten Breitseite (10") an einer vom Unterteil (12) gebildeten zweiten Schlitzwand (16) anliegt.

2. CVD-Reaktor mit einem Gehäuse (1), mit einem im Gehäuse angeordne ten, um eine Drehachse (A) in einer Drehebene drehantreibbaren Suszep- tor (2) zur Aufnahme ein oder mehrere Substrate (3),

mit einer Heizeinrichtung (9) zum Beheizen des Suszeptors (2),

mit einem Gaseinlassorgan (4) zum Einspeisen von Prozessgasen in eine Prozesskammer (5),

mit einem Gasauslassorgan (6) zum Auslass der Prozessgase und/ oder Zerlegungsprodukte der Prozessgase,

wobei das Gasauslassorgan (6) ein Oberteil (11) mit ringförmig um den

Suszeptor (2) angeordneten Gasauslassöffnungen (7) aufweist,

die in einen Gassammelkanal (8) eines Unterteiles (12) des Gasauslassor ganes (6) münden,

auf welchem das Oberteil (11) sich mit einer in der Drehebene liegenden Basisfläche (18) abstützt,

und mit einer sich radial außerhalb der Gasauslassöffnungen (7) erstre ckenden Prozesskammerwand (17),

die an ihrem oberen Ende eine Schulter (19) aufweist, die an eine Prozess kammerdecke (20) angrenzt, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozess- kammerwand (17) materialeinheitlich dem Oberteil (11) angeformt ist, die Schulter (19) in Radialeinwärtsrichtung die Gasauslassöffnungen (7) bezogen auf eine Richtung (S) parallel zur Drehachse (A) zumindest be reichsweise überragt, und

die zur Prozesskammerdecke (20) weisenden Abschnitte der Achsen (B) der Gasauslassöffnungen (7) zur Drehachse (A) geneigt sind.

3. CVD-Reaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass das Gaseinlassorgan (4) rotationssymmetrisch, bezo gen auf die Drehachse (A), ausgebildet und angeordnet ist und in Radial auswärtsrichtung weisende Gasaustrittsöffnungen (21) aufweist und/ oder dass die Heizeinrichtung (9) eine RF-Heizung ist.

4. CVD-Reaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass der Suszeptor (2) Taschen (22) aufweist, in denen je- weils ein von einem Gaspolster getragener und drehangetriebener Sub strathalter (23) angeordnet ist.

5. Gasauslassorgan zur Verwendung in einem CVD-Reaktor gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche

mit einem ringförmigen Oberteil (11) mit um eine freie Kreisfläche ange ordneten Gasauslassöffnungen (7),

wobei das Oberteil auf einem einen Gassammelkanal (8) ausbildenden Unterteil (12) sitzt,

dadurch gekennzeichnet, dass das Oberteil (11) eine erste Schlitzwand (15) und das Unterteil (12) eine zur ersten Schlitzwand (15) parallel verlaufen de zweite Schlitzwand (16) eines in Richtung zur Achse (A) der Kreisflä che offenen Schlitzes (14) ausbildet.

6. Gasauslassorgan zur Verwendung in einem CVD-Reaktor gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche

mit einem ringförmigen Oberteil (11) mit um eine freie Kreisfläche ange ordneten Gasauslassöffnungen (7),

wobei das Oberteil mit einer sich parallel zur Kreisfläche erstreckenden Basisfläche (18) auf einem einen Gassammelkanal (8) ausbildenden Unter teil (12) sitzt,

dadurch gekennzeichnet, dass eine Prozesskammerwand (17) materialein heitlich dem Oberteil (11) angeformt ist, welche an ihrem oberen Ende ei ne Schulter (19) aufweist, die in Radialeinwärtsrichtung die Gasauslass öffnungen (7) bezogen auf eine Richtung (S) parallel zu einer zentralen Achse (A) der Kreisfläche zumindest bereichsweise überragt, und die nach oben weisenden Abschnitte der Achsen (B) der Gasauslassöffnungen (7) zur Achse (A) geneigt sind.

7. CVD Reaktor oder Gasauslassorgan nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterteil (12) und das Oberteil (11) aus Graphit und insbesondere beschichtetem Graphit bestehen.

8. CVD Reaktor oder Gasauslassorgannach einem der vorhergehenden An- Sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Gassammelkanal (8) eine obe re Öffnung (25) aufweist, die von der Basisfläche (18) verschlossen ist.

9. CVD Reaktor oder Gasauslassorgan nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Oberteil (11) einen einen obe ren Rand des Unterteiles (12) übergreifenden Vorsprung (24) aufweist.

10. CVD Reaktor oder Gasauslassorgan nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein dem Oberteil (11) angeformter Vorsprung (24) in eine vom dem Unterteil (12) gebildete Nische (26) ein greift.

11. CVD Reaktor oder Gasauslassorgan nach einem der vorhergehenden An- Sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Außenfläche (30) des Unter teiles (12) mit einer Außenfläche (28) des Oberteils (11) fluchtet.

12. CVD Reaktor oder Gasauslassorgan nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Außenfläche (30) des Unter teils (12) und eine Außenfläche (28) des Oberteils (11) sich entlang einer Kreiszylinder-Mantelfläche erstrecken.

13. CVD Reaktor oder Gasauslassorgan nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Gasauslassöffnungen (7) zwischen einer Bodenfläche (29) des Oberteils (11) und der Basisfläche (18) erstrecken, wobei die Bodenfläche (29) geneigt zur Basisfläche (18) ver läuft.

14. CVD Reaktor oder Gasauslassorgan nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Achse (B) der Gasauslassöff- nungen (7) senkrecht zu einer zur Schulter (19) weisenden und die Gas auslassöffnungen (7) umgebenden Bodenfläche (29) verläuft.

15. CVD Reaktor oder Gasauslassorgan nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine zur Ringinnenseite wei sende Innenfläche (27) entlang einer gekrümmten Querschnittslinie durch einen Längsschnitt des Gasauslassorganes (6) erstreckt und/ oder dass die

Querschnittslinie der Innenfläche (27) rechtwinklig an eine Querschnittsli nie der Bodenfläche (29) und spitzwinklig an eine Querschnittslinie der Schulter (19) angrenzt und/ oder dass die Schulter (19) in einer Ebene ver läuft, die parallel zur Ebene der Basisfläche (18) liegt.

16. CVD Reaktor oder Gasauslassorgan, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden An sprüche.