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1. WO2021069598 - GASAUSLASSORGAN EINES CVD-REAKTORS

Veröffentlichungsnummer WO/2021/069598
Veröffentlichungsdatum 15.04.2021
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/078290
Internationales Anmeldedatum 08.10.2020
IPC
C23C 16/44 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
C30B 25/12 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
12Substrathalter oder Substratträger
C30B 25/14 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
14Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms
C23C 16/455 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
455gekennzeichnet durch das Verfahren zum Einführen von Gasen in den Reaktionsraum oder zum Modifizieren von Gasströmungen im Reaktionsraum
CPC
C23C 16/4409
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
4409characterised by sealing means
C23C 16/4412
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
C23C 16/45508
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45502Flow conditions in reaction chamber
45508Radial flow
Anmelder
  • AIXTRON SE [DE]/[DE]
Erfinder
  • KOLLBERG, Marcel
  • MUKINOVIC, Merim
  • BASTKE, Torsten Werner
  • RUDA Y WITT, Francisco
Vertreter
  • GRUNDMANN, Dirk
Prioritätsdaten
10 2019 127 375.710.10.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) GASAUSLASSORGAN EINES CVD-REAKTORS
(EN) GAS OUTLET ELEMENT OF A CVD REACTOR
(FR) ORGANE DE SORTIE DE GAZ D'UN RÉACTEUR DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Gasauslassorgan zur Verwendung in einem CVD-Reaktor mit einem ringförmigen Oberteil (11) mit um eine Kreisfläche angeordneten Gasauslassöffnungen (7), wobei das Oberteil (11) mit einer sich parallel zur Kreisfläche erstreckenden Basisfläche (18) auf einem einen Gassammelkanal (8) ausbildenden Unterteil (12) sitzt. Zunächst wird vorgeschlagen, dass eine Prozesskammerwand (17) materialeinheitlich dem Oberteil (11) angeformt ist, welche an ihrem oberen Ende eine Schulter (19) aufweist, die in Radialeinwärtsrichtung die Gasauslassöffnungen (7) bezogen auf eine Richtung (S) parallel zu einer zentralen Achse (A) der Kreisfläche zumindest bereichsweise überragt, und die nach oben weisenden Abschnitte der Achsen (B) der Gasauslassöffnungen (7) zur Achse (A) geneigt sind. Ferner wird vorgeschlagen, dass das Oberteil (11) eine erste Schlitzwand (15) und das Unterteil (12) eine zur ersten Schlitzwand (15) parallel verlaufende zweite Schlitzwand (16) eines in Richtung zur Achse (A) der Kreisfläche offenen Schlitzes (14) ausbildet zur Aufnahme eines Randes einer Platte (10).
(EN)
The invention relates to a gas outlet element for use in a CVD reactor, comprising an annular upper part (11) with gas outlet openings (7) arranged about a circular surface. A base surface (18) of the upper part (11), said surface extending parallel to the circular surface, sits on a lower part (12) which forms a gas collecting channel (8). A process chamber wall (17) is first integrally formed on the upper part (11), wherein the process chamber wall has a shoulder (19) at the upper end of the process chamber wall, said shoulder projecting beyond the gas outlet openings (7) at least in some regions radially inwards with respect to a direction (S) parallel to a central axis (A) of the circular surface, and the gas outlet opening (7) axis (B) sections pointing upwards are inclined towards the axis (A). Furthermore, the upper part (11) forms a first slot wall (15) and the lower part (12) forms a second slot wall (16), which runs parallel to the first slot wall (15), of a slot (14), which is open in the direction of the axis (A) of the circular surface, for receiving an edge of a plate (10).
(FR)
L'invention concerne un organe de sortie de gaz s'utilisant dans un réacteur CVD qui comporte une partie supérieure (11) annulaire dotée d'orifices de sortie de gaz (7) ménagées autour d'une surface circulaire, la partie supérieure (11) siégeant sur une partie inférieure (12) formant un canal collecteur de gaz (8), par une surface de base (18) s'étendant parallèlement à la surface circulaire. Dans un premier temps, une paroi de chambre de traitement (17) est formée d'un seul tenant avec la partie supérieure (11) et présente à son extrémité supérieure un épaulement (19) qui fait saillie au moins en partie des orifices de sortie de gaz (7) dans la direction radiale vers l'intérieur, par rapport à une direction (S) parallèle à un axe central (A) de la surface circulaire et les segments des axes (B) des orifices de sortie de gaz (7) qui sont dirigés vers le haut sont inclinés par rapport à l'axe (A). En outre, selon l'invention, la partie supérieure (11) forme une première paroi moulée (15) et la partie inférieure (12) forme une seconde paroi moulée (16), parallèle à la première paroi moulée (15), d'un bord d'une fente (14) ouverte en direction de l'axe (A) de la surface circulaire, fente destinée à recevoir un bord d'une plaque (10) .
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