بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (US20080142781) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

المكتب : الولايات المتحدة الأمريكية
رقم الطلب: 11722665 تاريخ الطلب: 05.12.2005
رقم النشر: 20080142781 تاريخ النشر: 19.06.2008
رقم التسليم: 08030639 تاريخ التسليم: 04.10.2011
نوع النشر: B2
:مرجعية معاهدة التعاون بشأن البراءات رقم الطلب:PCTKR2005004118؛ رقم النشر:       اضغط لرؤية المعلومات
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 29/06
H01L 31/00
H01L 21/00
H01L 27/15
H01L 29/26
H01L 31/12
H01L 33/00
H01L 33/32
H01L 33/42
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المتقدمون: LG Innotek Co., Ltd.
المخترعون: Lee Suk Hun
الوكلاء: Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
بيانات الأولوية: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
العنوان: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
الملخص: front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a first nitride semiconductor layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a delta doped second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the optical power of the nitride semiconductor light emitting device is enhanced, optical power down phenomenon is improved and reliability against ESD (electro static discharge) is enhanced.


:نشرت أيضا باسم
EP1829122JP2008526012US20110318857CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374