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1. (EP1829122) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

المكتب : المكتب الأوروبي للبراءات (EPO)
رقم الطلب: 05821438 تاريخ الطلب: 05.12.2005
رقم النشر: 1829122 تاريخ النشر: 05.09.2007
نوع النشر: B1
الدول المعينّة: DE,GB
:مرجعية معاهدة التعاون بشأن البراءات رقم الطلب:KR2005004118؛ رقم النشر:       اضغط لرؤية المعلومات
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 33/04
H01L 33/12
H01L 33/32
H01L 33/42
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التصنيف التعاوني للبراءات:
H01L 33/12
H01L 33/007
المتقدمون: LG INNOTEK CO LTD
المخترعون: LEE SUK HUN
بيانات الأولوية: 1020040111085 23.12.2004 KR
2005004118 05.12.2005 KR
العنوان: (DE) LICHTEMITTIERENDES NITRID-HALBLEITER-BAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
الملخص: front page image
(EN) Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.
(FR) L'invention porte sur un dispositif électroluminescent semi-conducteur de nitrure comprenant : un substrat ; une première couche tampon formée sur le substrat ; une deuxième couche tampon contenant de l'indium formée sur la première couche tampon ; une troisième couche tampon contenant de l'indium formée sur la deuxième couche tampon ; une première couche semi-conductrice de nitrure formée sur la troisième couche tampon ; une couche active formée sur la première couche semi-conductrice de nitrure ; et une deuxième couche semi-conductrice de nitrure formée sur la couche active. Selon l'invention, les défauts cristallins sont ainsi supprimés si bien que la cristallinité de la couche active est améliorée et la puissance optique ainsi que la fiabilité de fonctionnement sont améliorées.
:نشرت أيضا باسم
JP2008526012US20080142781US20110318857CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374