بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (CN104094408) High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same

المكتب : الصين
رقم الطلب: 201280059254.X تاريخ الطلب: 15.05.2012
رقم النشر: 104094408 تاريخ النشر: 08.10.2014
نوع النشر: A
:مرجعية معاهدة التعاون بشأن البراءات رقم الطلب:PCTUS2012038013؛ رقم النشر:       اضغط لرؤية المعلومات
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 29/778
H01L 21/335
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المتقدمون:
المخترعون:
بيانات الأولوية: 13/312,406 06.12.2011 US
العنوان: (EN) High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same
(ZH) 高电流高电压GaN场效应晶体管及其制造方法
الملخص: front page image
(EN) A field effect transistor (FET) having a source contact to a channel layer, a drain contact to the channel layer, and a gate contact on a barrier layer over the channel layer. The (FET) includes a dielectric layer on the barrier layer between the source contact and the drain contact and over the gate contact, and a field plate on the dielectric layer. The field plate is connected to the source contact and extends over a space between the gate contact and the drain contact. The field plate comprises a sloped sidewall in the space between the gate contact and the drain contact.
(ZH)

一种场效应晶体管(FET)具有与沟道层接触的源极接点、与沟道层接触的漏极接点、以及在沟道层之上的势垒层上的栅极接点,该FET包括:在源极接点和漏极接点之间的势垒层上并且覆盖栅极接点的电介质层;以及在电介质层上的场板,该场板连接至源极接点并且延伸超过栅极接点和漏极接点之间区域,并且该场板包含位于栅极接点和漏极接点之间区域的倾斜侧壁。


:نشرت أيضا باسم
EP2789013WO/2013/085566