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1. (WO2019068094) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION TECHNIQUES
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رقم النشر: WO/2019/068094 رقم الطلب الدولي: PCT/US2018/053780
تاريخ النشر: 04.04.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 01.10.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 45/00 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
CROSSBAR, INC. [US/US]; 3200 Patrick Henry Drive, Suite 110 Santa Clara, California 95054, US
المخترعون:
JO, Sung-Hyun; US
NARAYANAN, Sundar; US
GU, Zhen; US
الوكيل:
CHO, Steve Y.; US
بيانات الأولوية:
62/566,15429.09.2017US
العنوان (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION TECHNIQUES
(FR) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE ET TECHNIQUES DE FABRICATION
الملخص:
(EN) A self-aligned memory device includes a conductive bottom plug disposed within an insulating layer and having a coplanar top surface, a self-aligned planar bottom electrode disposed upon the coplanar top surface and having a thickness within a range of 50 Angstroms to 200 Angstroms, a planar switching material layer disposed upon the self-aligned planar bottom electrode, a planar active metal material layer disposed upon the planar switching material layer and a planar top electrode disposed above the planar active metal material layer, wherein the self-aligned planar bottom electrode, the planar switching material layer, the planar active metal material layer, and the planar top electrode form a pillar-like structure above the insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire auto-aligné comprenant une fiche inférieure conductrice, disposée à l'intérieur d'une couche isolante et ayant une surface supérieure coplanaire, une électrode inférieure plane auto-alignée, disposée sur la surface supérieure coplanaire et ayant une épaisseur dans une plage de 50 angströms à 200 angströms, une couche plane de matériau de commutation, disposée sur l'électrode inférieure plane auto-alignée, une couche plane de matériau métallique actif, disposée sur la couche plane de matériau de commutation et une électrode supérieure plane, disposée au-dessus de la couche plane de matériau métallique actif, l'électrode inférieure plane auto-alignée, la couche plane de matériau de commutation, la couche plane de matériau métallique actif et l'électrode supérieure plane formant une structure de type pilier au-dessus de la couche isolante.
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)