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1. (WO2019067084) RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
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رقم النشر: WO/2019/067084 رقم الطلب الدولي: PCT/US2018/044516
تاريخ النشر: 04.04.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 31.07.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H03F 1/02 (2006.01) ,H03F 1/30 (2006.01) ,H03F 3/195 (2006.01) ,H03F 3/24 (2006.01) ,H03F 3/72 (2006.01)
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المودعون:
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
المخترعون:
LAIGHTON, Christopher, M.; US
BIELUNIS, Alan, J.; US
WATTERS, Edward, A.; US
الوكيل:
MOFFORD, Donald, F.; US
ROBINSON, Kermit; US
DURKEE, Paul, D.; US
MILMAN, Seth, A.; US
MOOSEY, Anthony, T.; US
DALY, Christopher, S.; US
CROWLEY, Judith, C.; US
DOWNING, Marianne, M.; US
FLINDERS, Matthew; US
BLAU, David, E.; US
SICARD, Keri, E.; US
DUBUC, Marisa, J.; US
LEE, Lewis, J.; US
DIMOV, Kiril, O.; US
بيانات الأولوية:
15/718,50428.09.2017US
العنوان (EN) RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE
الملخص:
(EN) An amplifier (10) having a Radio Frequency (RF) power level detector circuit (12) for producing a control signal in accordance with a power level of an RF input signal. The control signal indicates whether the power level of the input signal is within a predetermined range of power levels greater than zero. A bias circuit (16) is fed by the control signal, for producing a fixed bias voltage at a gate electrode of a field effect transistor (FET) to establish a predetermined quiescent current for the FET when the control signal indicates the power level of the RF input signal is within the predetermined range of power levels and to reduce the bias voltage to reduce the predetermined quiescent current when the control signal indicates the power level of the RF input signal is below the predetermined range of power levels.
(FR) La présente invention concerne un amplificateur (10) comprenant un circuit détecteur de niveau de puissance radiofréquence (RF) destiné à produire un signal de commande en fonction d'un niveau de puissance d'un signal d'entrée RF. Le signal de commande indique si le niveau de puissance du signal d'entrée se trouve dans une plage prédéterminée de niveaux de puissance supérieur à zéro. Un circuit de polarisation (16) est alimenté au moyen du signal de commande, de façon à produire une tension de polarisation fixe au niveau d'une électrode de grille d'un transistor à effet de champ (FET) afin d'établir un courant de repos prédéterminé destiné au FET lorsque le signal de commande indique que le niveau de puissance du signal d'entrée RF se trouve dans la plage prédéterminée de niveaux de puissance et de façon à réduire la tension de polarisation afin de réduire le courant de repos prédéterminé lorsque le signal de commande indique que le niveau de puissance du signal d'entrée RF est inférieur à la plage prédéterminée de niveaux de puissance.
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)