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1. (WO2019066958) IMPROVED CONTACTS TO N-TYPE TRANSISTORS WITH L-VALLEY CHANNELS
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رقم النشر: WO/2019/066958 رقم الطلب الدولي: PCT/US2017/054585
تاريخ النشر: 04.04.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 29.09.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/04 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
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المودعون:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
المخترعون:
CRUM, Dax; US
WEBER, Cory; US
MEHANDRU, Rishabh; US
KENNEL, Harold; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
الوكيل:
GUGLIELMI, David L.; US
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) IMPROVED CONTACTS TO N-TYPE TRANSISTORS WITH L-VALLEY CHANNELS
(FR) CONTACTS AMÉLIORÉS DE TRANSISTORS DE TYPE N À CANAUX À CREUX EN L
الملخص:
(EN) An apparatus is provided which comprises: a first region over a substrate, wherein the first region comprises a first semiconductor material having a L-valley transport energy band structure, a second region in contact with the first region at a junction, wherein the second region comprises a second semiconductor material having a X-valley transport energy band structure, wherein a <111> crystal direction of one or more crystals of the first and second semiconductor materials are substantially orthogonal to the junction, and a metal adjacent to the second region, the metal conductively coupled to the first region through the junction. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR) L'invention concerne un appareil comprenant : une première région située sur un substrat, la première région comprenant un premier matériau semi-conducteur ayant une structure de bande d'énergie de transport en creux en L, une seconde région en contact avec la première région au niveau d'une jonction, la seconde région comprenant un second matériau semi-conducteur ayant une structure de bande d'énergie de transport en creux en X, une direction de cristaux <111> d'un ou de plusieurs cristaux des premier et second matériaux semi-conducteurs étant sensiblement orthogonale à la jonction, et un métal adjacent à la seconde région, le métal étant couplé de manière conductrice à la première région par l'intermédiaire de la jonction. L'invention décrit et revendique également d'autres modes de réalisation.
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)