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1. (WO2019066916) COMPLEMENTARY GROUP III-NITRIDE TRANSISTORS WITH COMPLEMENTARY POLARIZATION JUNCTIONS
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رقم النشر: WO/2019/066916 رقم الطلب الدولي: PCT/US2017/054380
تاريخ النشر: 04.04.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 29.09.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
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المودعون:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
المخترعون:
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
الوكيل:
HOWARD, James M.; US
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) COMPLEMENTARY GROUP III-NITRIDE TRANSISTORS WITH COMPLEMENTARY POLARIZATION JUNCTIONS
(FR) TRANSISTORS AU NITRURE DU GROUPE III DE TYPE COMPLÉMENTAIRE À JONCTIONS DE POLARISATION COMPLÉMENTAIRES
الملخص:
(EN) Group III-N transistors of complementary conductivity type employing two polarization junctions of complementary type. Each III-N polarization junction may include two III-N material layers having opposite crystal polarities. The opposing polarities may induce a two-dimensional charge sheet within each of the two III-N material layers. Opposing crystal polarities may be induced through introduction of an intervening layer between two III-N material layers. A III-N heterostructure may include two III-N polarization junctions. A 2D electron gas (2DEG) is induced at a first polarization junction and a 2D hole gas (2DHG) is induced at the second polarization junction. Transistors of complementary type may utilize a separate one of the polarization junctions, enabling III-N transistors to implement CMOS circuitry.
(FR) L'invention concerne des transistors du groupe III-N du type à conductivité complémentaire faisant appel à deux jonctions de polarisation de type complémentaire. Chaque jonction de polarisation au III-N peut comprendre deux couches de matériau de III-N ayant des polarités cristallines contraires. Les polarités contraires peuvent induire une feuille de charge bidimensionnelle à l'intérieur de chacune des deux couches de matériau de III-N. Des polarités cristallines contraires peuvent être induites par une introduction d'une couche intermédiaire entre deux couches de matériau de III-N. Une hétérostructure au III-N peut comprendre deux jonctions de polarisation au III-N. Un gaz d'électrons 2D (2DEG) est induit au niveau d'une première jonction de polarisation et un gaz de trou 2D (2DHG) est induit au niveau de la seconde jonction de polarisation. Des transistors de type complémentaire peuvent faire appel à une jonction séparée parmi les jonctions de polarisation, permettant aux transistors au III-N de constituer des circuits CMOS.
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