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1. (WO2019066912) SELF-ALIGNED CONTACTS FOR THIN FILM TRANSISTORS
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رقم النشر: WO/2019/066912 رقم الطلب الدولي: PCT/US2017/054368
تاريخ النشر: 04.04.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 29.09.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 29/786 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
LE, Van H. [US/US]; US
SHARMA, Abhishek A. [IN/US]; US
CHU-KUNG, Benjamin [US/US]; US
DEWEY, Gilbert [US/US]; US
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; US
RESHOTKO, Miriam R. [US/US]; US
SHIVARAMAN, Shriram [IN/US]; US
TAN, Li Huey [MY/US]; US
TRONIC, Tristan A. [US/US]; US
KAVALIEROS, Jack T. [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
المخترعون:
LE, Van H.; US
SHARMA, Abhishek A.; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
DEWEY, Gilbert; US
PILLARISETTY, Ravi; US
RESHOTKO, Miriam R.; US
SHIVARAMAN, Shriram; US
TAN, Li Huey; US
TRONIC, Tristan A.; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
الوكيل:
WANG, Yuke; US
PUGH, Joseph A.; US
COFIELD, Michael A.; US
BLANK, Eric S.; US
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) SELF-ALIGNED CONTACTS FOR THIN FILM TRANSISTORS
(FR) CONTACTS AUTO-ALIGNÉS POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES
الملخص:
(EN) Embodiments herein describe techniques for a semiconductor device, which may include a substrate, and a U-shaped channel above the substrate. The U-shaped channel may include a channel bottom, a first channel wall and a second channel wall parallel to each other, a source area, and a drain area. A gate dielectric layer may be above the substrate and in contact with the channel bottom. A gate electrode may be above the substrate and in contact with the gate dielectric layer. A source electrode may be coupled to the source area, and a drain electrode may be coupled to the drain area. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention décrivent des techniques pour un dispositif à semi-conducteur, qui peut comprendre un substrat, et un canal en forme de U au-dessus du substrat. Le canal en forme de U peut comprendre un fond de canal, une première paroi de canal et une seconde paroi de canal parallèles les uns aux autres, une zone de source et une zone de drain. Une couche diélectrique de grille peut être au-dessus du substrat et en contact avec le fond de canal. Une électrode de grille peut être au-dessus du substrat et en contact avec la couche diélectrique de grille. Une électrode de source peut être couplée à la zone de source, et une électrode de drain peut être couplée à la zone de drain. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)