بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019064435) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/064435 رقم الطلب الدولي: PCT/JP2017/035242
تاريخ النشر: 04.04.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 28.09.2017
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/223 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
المخترعون:
出貝 求 DEGAI, Motomu; JP
芦原 洋司 ASHIHARA, Hiroshi; JP
بيانات الأولوية:
العنوان (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
الملخص:
(EN) [Problem] To suppress the diffusion of impurities from a silicon film to which the impurities are added, to a metal film formed thereon. [Solution] The present invention includes performing: a step for supplying a dopant-containing gas which includes a dopant to a substrate on which a metal film and a film other than the metal film are formed, on a film to which the dopant has been added; and a step for removing the dopant-containing gas from above the substrate, wherein the dopant is selectively added to the metal film.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de supprimer la diffusion d'impuretés d'un film de silicium auquel les impuretés sont ajoutées, vers un film métallique formé sur ce dernier. La solution de l'invention comprend : une étape consistant à fournir un gaz contenant un dopant qui renferme un dopant à un substrat sur lequel sont formés un film métallique et un film autre que le film métallique, sur un film auquel le dopant a été ajouté ; et une étape d'élimination du gaz contenant un dopant sur le substrat, le dopant étant sélectivement ajouté au film métallique.
(JA) 課題:不純物を添加したシリコン膜から、その上に形成された金属膜への不純物が拡散してしまうことを抑制する。 解決手段:ドーパントが添加された膜の上に、金属膜と、当該金属膜以外の膜が形成された基板に対して、前記ドーパントを含むドーパント含有ガスを供給する工程と、前記基板上から前記ドーパント含有ガスを除去する工程と、を行い、前記金属膜に前記ドーパントを選択添加する。
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)