بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019064130) VERTICAL THIN FILM TRANSISTOR
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدوليتقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/064130 رقم الطلب الدولي: PCT/IB2018/057247
تاريخ النشر: 04.04.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 20.09.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 29/786 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District Beijing 100101, CN (MG)
المخترعون:
LEOBANDUNG, Effendi; US
الوكيل:
LITHERLAND, David; GB
بيانات الأولوية:
15/715,52626.09.2017US
العنوان (EN) VERTICAL THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES VERTICAL
الملخص:
(EN) A vertical transistor device includes a stack of layers stacked vertically and including a source layer, a drain layer and a channel layer between the source layer and the drain layer. A gate electrode is formed in a common plane with the channel layer and a gate dielectric is formed vertically between the gate electrode and the channel layer. A first contact contacts the stack of layers on a first side of the stack of layers, and a second contact formed on an opposite side vertically from the first contact.
(FR) L'invention concerne un dispositif de transistor vertical comprenant un empilement de couches empilées verticalement et comprenant une couche de source, une couche de drain et une couche de canal entre la couche de source et la couche de drain. Une électrode de grille est formée dans un plan commun avec la couche de canal et un diélectrique de grille est formé verticalement entre l'électrode de grille et la couche de canal. Un premier contact est en contact avec l'empilement de couches sur un premier côté de l'empilement de couches, et un second contact est formé sur un côté opposé verticalement à partir du premier contact.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (الأريبو) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
المكتب الأوروبي الآسيوي للبراءات (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)