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1. (WO2019063468) METHOD AND ASSEMBLY FOR ANALYSING THE WAVEFRONT EFFECT OF AN OPTICAL SYSTEM
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Patentansprüche

1 . Verfahren zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:

• Beleuchten einer Messmaske (1 10, 310) mit Beleuchtungslicht durch eine Beleuchtungseinrichtung;

• Erzeugen, aus einer von der Messmaske (1 10, 310) ausgehenden, das optische System durchlaufenden Wellenfront, eines Interfero- gramms in einer vorgegebenen Ebene über ein Beugungsgitter (150); und

• Erfassen dieses Interferogramms mit einem Detektor (170);

• wobei unterschiedliche Winkelverteilungen des auf die Messmaske (1 10, 310) auftreffenden Beleuchtungslichts über eine Spiegelanordnung aus unabhängig voneinander einstellbaren Spiegelelementen erzeugt werden;

• wobei eine Mehrzahl von Interferogrammen in einer Mehrzahl von Messschritten erfasst wird, wobei sich diese Messschritte hinsichtlich der Winkelverteilung des auf die Messmaske (1 10, 310) auftreffenden Beleuchtungslichts voneinander unterscheiden; und

• wobei zur Ermittlung der jeweiligen Systemwellenfrontabweichungen des optischen Systems für die in den einzelnen Messschritten jeweils beleuchteten Pupillenbereiche ein übereinstimmender Wellenfront- abweichungs-Anteil in den in diesen Messschritten jeweils erhaltenen Messergebnissen ermittelt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlrichtung des auf die Spiegelanordnung auftreffenden Beleuchtungslichtes zum wenigstens teilweisen Herausmitteln von Speckle-Mustern zeitlich variiert wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das opti- sehe System ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbehchtungsanlage ist.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Wellenfront- wirkung des Projektionsobjektivs gezielt für diejenigen Pupillenbereiche ermittelt wird, welche im Betrieb der Projektionsbehchtungsanlage beleuchtet werden.

5. Verfahren zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:

• Beleuchten einer Messmaske (1 10, 310) mit Beleuchtungslicht durch eine Beleuchtungseinrichtung;

• Erzeugen, aus einer von der Messmaske (1 1 0, 310) ausgehenden, das optische System durchlaufenden Wellenfront, eines Interfero- gramms in einer vorgegebenen Ebene über ein Beugungsgitter (150); und

• Erfassen dieses Interferogramms mit einem Detektor (170);

• wobei unterschiedliche Winkelverteilungen des auf die Messmaske (1 10, 310) auftreffenden Beleuchtungslichts über eine Spiegelanordnung aus unabhängig voneinander einstellbaren Spiegelelementen erzeugbar sind;

• wobei das optische System ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbehchtungsanlage ist; und

• wobei die Wellenfrontwirkung des Projektionsobjektivs durch Einstellung der Spiegelanordnung gezielt für diejenigen Pupillenbereiche ermittelt wird, welche im Betrieb der Projektionsbehchtungsanlage beleuchtet werden.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System für einen Betrieb bei einer Arbeitswellenlänge von weniger als 30nm, insbesondere weniger als 15nm, ausgelegt ist.

Anordnung zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems, mit

• einer Beleuchtungseinrichtung, welche einen Feldfacettenspiegel (101 , 301 ) mit einer Mehrzahl von Feldfacetten (FFi , FF2, ... ) und einen Pupillenfacettenspiegel (102, 302) mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten (PFi , PF2, ... ) aufweist, wobei die Feldfacetten (FFi , FF2, ... ) zur Erzeugung einer gewünschten Winkelverteilung des auf die Messmaske (1 10, 310) auftreffenden Beleuchtungslichts unabhängig voneinander verstellbar sind;

• einer Messmaske (1 10, 310);

• einem Beugungsgitter (150), welches aus jeweils einer bei Beleuchtung der Messmaske (1 10, 310) durch die Beleuchtungseinrichtung mit Beleuchtungslicht von der Messmaske (1 10, 310) ausgehenden, das optische System durchlaufenden Wellenfront für unterschiedliche Winkelverteilungen des auf die Messmaske (1 10, 310) auftreffenden Beleuchtungslichts jeweils ein Interferogramm in einer vorgegebenen Ebene erzeugt;

• einem Detektor (170) zur Erfassung der für die unterschiedlichen Winkelverteilungen des auf die Messmaske (1 10, 310) auftreffenden Beleuchtungslichts erhaltenen Interferogramme; und

• einer Berechnungs- und Speichereinheit zur Berechnung und Speicherung der jeweiligen Systemwellenfrontabweichungen des optischen Systems für die in den einzelnen Messschritten jeweils beleuchteten Pupillenbereiche auf Basis eines übereinstimmenden Wellenfrontabweichungs-Anteils in den erhaltenen Interferogrammen.

Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung einen Feldfacettenspiegel (101 , 301 ) mit einer Mehrzahl von Feldfacetten (FFi , FF2, ... ) und einen Pupillenfacettenspiegel (102, 302) mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten (PFi , PF2, ... ) aufweist, wobei die Feldfacetten (FFi , FF2, ... ) zur Erzeugung einer gewünschten Winkelverteilung des auf die Messmaske (1 10, 310) auftreffenden Beleuchtungslichts unabhängig voneinander verstellbar sind.

Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass diese ferner eine Einrichtung zur Variation der Strahlrichtung des auf den Feldfacettenspiegel (101 , 301 ) auftreffenden Beleuchtungslichts aufweist.

Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass diese Einrichtung einen durch Rotation und/oder Translation beweglichen Diffusor (305) aufweist.

1 1 . Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass diese Einrichtung eine Strahlrichtungssteuerungseinheit zur gezielten Steuerung der Strahlrichtung aufweist.

12. Anordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass diese Einrichtung in einem am Eingang der Beleuchtungseinrichtung befindlichen Zwischenfokus angeordnet ist.

Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System ein optisches System für die Mikrolithographie, insbesondere ein optisches System einer mikrolithographischen Projektions- belichtungsanlage, ist.

Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System für einen Betrieb bei einer Arbeitswellenlänge von weniger als 30nm, insbesondere weniger als 15nm, ausgelegt ist.

Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, welche für einen Betrieb bei einer Arbeitswellenlänge von weniger als 30nm ausgelegt ist und eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, mit einer Anordnung zur Messung der Wellenfront der das Projektionsobjektiv durchlaufenden Strahlung, wobei eine Einrichtung zur Variation der Strahlrichtung während der Wellenfrontmessung vorgesehen ist.

Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung einen Feldfacettenspiegel (101 , 301 ) mit einer Mehrzahl von Feldfacetten (FFi , FF2, ... ) und einen Pupillenfacettenspiegel (102, 302) mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten (PFi , PF2, ... ) aufweist, wobei die Feldfacetten (FFi , FF2, ... ) unabhängig voneinander verstellbar sind.

Anordnung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass diese Einrichtung einen durch Rotation und/oder Translation beweglichen Diffusor (305) aufweist.

Anordnung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass diese Einrichtung eine Strahlrichtungssteuerungseinheit zur gezielten Steuerung der Strahlrichtung aufweist.