بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019063254) METHOD FOR DETERMINING PROPERTIES OF AN EUV SOURCE
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/063254 رقم الطلب الدولي: PCT/EP2018/073903
تاريخ النشر: 04.04.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 05.09.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
G03F 7/20 (2006.01)
Description not available in lang ar
المودعون:
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
المخترعون:
LAUFER, Timo; DE
HAUF, Markus; DE
MÜLLER, Ulrich; DE
الوكيل:
RAUNECKER, Klaus, Peter; DE
بيانات الأولوية:
10 2017 217 266.528.09.2017DE
العنوان (EN) METHOD FOR DETERMINING PROPERTIES OF AN EUV SOURCE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE PROPRIÉTÉS D'UNE SOURCE UVE
(DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG VON EIGENSCHAFTEN EINER EUV-QUELLE
الملخص:
(EN) The invention relates to a method for determining at least one property of an EUV source (3) in a projection printing facility (1) for semiconductor lithography, according to which the property is determined on the basis of the electromagmetic radiation (14) emitted from the EUV source (3), a thermal load for a component (2) of the projection printing facility (1) being determined and the property being deduced on the basis of the determined thermal load.
(FR) L'invention concerne un procédé de détermination d'au moins une propriété d'une source UVE (3) dans une installation d'éclairage par projection (1) pour la lithographie de semi-conducteurs, la propriété étant déterminée au moyen du rayonnement électromagnétique (14) émis par la source UVE (3). Selon l'invention, une charge thermique est déterminée pour un composant (2) de l'installation d'éclairage par projection (1) et la propriété est déduite d'après la charge thermique déterminée.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung mindestens einer Eigenschaft einer EUV-Quelle (3) in einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie, wobei die Eigenschaft anhand der von der EUV-Quelle (3) ausgehenden elektromagnetischen Strahlung (14) ermittelt wird und wobei eine Thermallast für eine Komponente (2) der Projektionsbelichtungsanlage (1) ermittelt wird und anhand der ermittelten Thermallast auf die Eigenschaft geschlossen wird.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: ألماني (DE)
لغة الإيداع: ألماني (DE)