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1. (WO2019050848) BI-STABLE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) BIT CELLS FORMED FROM III-V COMPOUNDS AND CONFIGURED TO ACHIEVE HIGHER OPERATING SPEEDS
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رقم النشر: WO/2019/050848 رقم الطلب الدولي: PCT/US2018/049371
تاريخ النشر: 14.03.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 04.09.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 27/102 (2006.01) ,G11C 11/411 (2006.01) ,H01L 27/11 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
المخترعون:
TAO, Gengming; US
LI, Xia; US
YANG, Bin; US
الوكيل:
TERRANOVA, Steven, N.; US
بيانات الأولوية:
15/696,63006.09.2017US
العنوان (EN) BI-STABLE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) BIT CELLS FORMED FROM III-V COMPOUNDS AND CONFIGURED TO ACHIEVE HIGHER OPERATING SPEEDS
(FR) CELLULES BINAIRES DE MÉMOIRE VIVE STATIQUE (SRAM) BISTABLES FORMÉES À PARTIR DE COMPOSÉS III-V ET CONFIGURÉES POUR OBTENIR DES VITESSES DE FONCTIONNEMENT PLUS ÉLEVÉES
الملخص:
(EN) Bi-stable static random access memory (SRAM) bit cells formed from III- V compounds and configured to achieve higher operating speeds are disclosed. In one aspect, a bi-stable SRAM bit cell includes substrate (202), a first well layer (204) formed over substrate from a III- V compound doped with a first type material, and a second well layer (206) formed over the first well layer (204) from a lll-V compound doped with a second type material. A channel layer (208) is formed over the second well layer (206) from a lll-V compound doped with the first type material. Source and drain regions (210, 214) are formed over the channel layer (208) from a lll-V compound doped with the first type material, and a gate region (224) is formed over the channel layer (208). Bipolar junction transistors (BJTs, 228(1) and 228(2)) are formed such that a data value can be stored in second well layer (206). A collector tap electrode (CL) is configured to provide access to collector of each BJT for reading or writing data.
(FR) La présente invention concerne des cellules binaires de mémoire vive statique (SRAM) bistables formées à partir de composés III-V et configurées pour obtenir des vitesses de fonctionnement plus élevées. Selon un aspect, une cellule binaire SRAM bistable comprend un substrat (202), une première couche de puits (204) formée sur un substrat à partir d'un composé III-V dopé avec matériau de premier type, et une seconde couche de puits (206) formée sur la première couche de puits (204) à partir d'un composé III-V dopé avec un matériau de second type. Une couche de canal (208) est formée sur la seconde couche de puits (206) à partir d'un composé III-V dopé avec le matériau de premier type. Des régions de source et de drain (210, 214) sont formées sur la couche de canal (208) à partir d'un composé III-V dopé avec le matériau de premier type, et une région de grille (224) est formée sur la couche de canal (208). Des transistors à jonction bipolaire (BJT, 228 (1) et 228 (2)) sont formés de telle sorte qu'une valeur de données peut être stockée dans la seconde couche de puits (206). Une électrode de prise de collecteur (CL) est configurée pour fournir un accès au collecteur de chaque BJT afin de lire ou écrire des données.
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