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1. (WO2019048984) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
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رقم النشر: WO/2019/048984 رقم الطلب الدولي: PCT/IB2018/056535
تاريخ النشر: 14.03.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 28.08.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 27/1156 (2017.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
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المودعون:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
المخترعون:
山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP
竹内敏彦 TAKEUCHI, Toshihiko; JP
村川努 MURAKAWA, Tsutomu; JP
駒形大樹 KOMAGATA, Hiroki; JP
奥野直樹 OKUNO, Naoki; JP
石原典隆 ISHIHARA, Noritaka; --
野中裕介 NONAKA, Yusuke; --
بيانات الأولوية:
2017-17005605.09.2017JP
2017-17006005.09.2017JP
2017-23820913.12.2017JP
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、および半導体装置の作製方法
الملخص:
(EN) Provided is a reliable semiconductor device having excellent electrical characteristics. In the present invention: a first insulating body is formed, a second insulating body is formed on the first insulating body, an island-like oxide is formed on the second insulating body, a third insulating body and conducting body laminate is formed on the oxide, and a film comprising a metal element is formed on the oxide and the conducting body, thus selectively providing the oxide with low resistance; after the second insulating body, the oxide, and a fourth insulating body is formed on the laminate, an opening exposing the second insulating body is formed in the fourth insulating body, a fifth insulating body is formed on the second insulating body and the fourth insulating body, and oxygen introduction treatment is performed on the fifth insulating body.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur fiable présentant d'excellentes caractéristiques électriques. Dans la présente invention : un premier corps isolant est formé, un deuxième corps isolant est formé sur le premier corps isolant, un oxyde de type îlot est formé sur le deuxième corps isolant, un troisième corps isolant et un stratifié de corps conducteur est formé sur l'oxyde, et un film comprenant un élément métallique est formé sur l'oxyde et le corps conducteur, permettant ainsi de fournir sélectivement à l'oxyde une faible résistance; après que le deuxième corps isolant, l'oxyde et un quatrième corps isolant sont formés sur le stratifié, une ouverture faisant apparaître le deuxième corps isolant est formée dans le quatrième corps isolant, un cinquième corps isolant est formé sur le deuxième corps isolant et le quatrième corps isolant, et un traitement d'introduction d'oxygène est réalisé sur le cinquième corps isolant.
(JA) 要約書 良好な電気特性、および信頼性を有する半導体装置を提供する。 第1の絶縁体を形成し、 第1の絶縁体上に第2の絶縁体を形成し、 第2の絶縁体上に島状の酸化物を 形成し、 酸化物上に、 第3の絶縁体と導電体の積層体を形成し、 酸化物、 および積層体上に金属元素 を有する膜を形成することにより、 酸化物を選択的に低抵抗化し、 第2の絶縁体と、 酸化物と、 およ び積層体上に第4の絶縁体を形成した後、第4の絶縁体に、第2の絶縁体を露出する開口部を形成し、 第2の絶縁体、 および第4の絶縁体上に、 第5の絶縁体を形成し、 第5の絶縁体に対して、 酸素導入 処理を行う。
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الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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لغة النشر: ياباني (JA)
لغة الإيداع: ياباني (JA)