بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019046629) SEMICONDUCTOR DEVICES, HYBRID TRANSISTORS, AND RELATED METHODS
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/046629 رقم الطلب الدولي: PCT/US2018/048934
تاريخ النشر: 07.03.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 30.08.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Mailstop 1-507 Boise, Idaho 83707, US
المخترعون:
KARDA, Kamal M.; US
LIU, Haitao; US
RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal; US
الوكيل:
GUTKE, Steven W.; US
BACA, Andrew J.; US
ZIEGLER, Bailey M.; US
BEZDJIAN, Daniel J.; US
BAKER, Gregory C.; US
FLORES, Jesse M.; US
GUNN, J. Jeffrey; US
HAMER, Katherine A.; US
SCHIERMAN, Elizabeth Herbst; US
WALKOWSKI, Joseph A.; US
WATSON, James C.; US
WHITLOCK, Nathan E.; US
WOODHOUSE, Kyle M.; US
بيانات الأولوية:
16/118,11030.08.2018US
62/552,82431.08.2017US
العنوان (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES, HYBRID TRANSISTORS, AND RELATED METHODS
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR, TRANSISTORS HYBRIDES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
الملخص:
(EN) A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a hybrid transistor including a gate electrode, a drain material, a source material, and a channel material operatively coupled between the drain material and the source material. The source material and the drain material include a low bandgap high mobility material relative to the channel material that is high bandgap low mobility material. Memory arrays, semiconductor devices, and systems incorporating memory cells, and hybrid transistors are also disclosed, as well as related methods for forming and operating such devices.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend un transistor hybride comprenant une électrode grille, un matériau drain, un matériau source et un matériau de canal fonctionnellement couplé entre le matériau drain et le matériau source. Le matériau source et le matériau drain comprennent un matériau à mobilité élevée à bande interdite faible par rapport au matériau de canal qui est un matériau à faible mobilité à bande interdite élevée. L'invention concerne également des matrices mémoires, des dispositifs à semi-conducteur et des systèmes comportant des cellules de mémoire, et des transistors hybrides, ainsi que des procédés associés pour former et faire fonctionner de tels dispositifs.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)