بعض محتويات هذا التطبيق غير متوفرة في الوقت الحالي.
إذا استمرت هذه الحالة ، يرجى الاتصال بنا علىتعليق وإتصال
1. (WO2019045880) WAFERS HAVING III-NITRIDE AND DIAMOND LAYERS
أحدث البيانات الببلوغرافية المتوفرة لدى المكتب الدولي    تقديم ملاحظات

رقم النشر: WO/2019/045880 رقم الطلب الدولي: PCT/US2018/041172
تاريخ النشر: 07.03.2019 تاريخ الإيداع الدولي: 08.07.2018
التصنيف الدولي للبراءات:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01)
Description not available in lang arDescription not available in lang ar
المودعون:
RFHIC CORPORATION [US/US]; 920 Morrisville Pkwy Morrisville, North Carolina 27560, US
المخترعون:
CHO, Sam Yul; US
LEE, Won Sang; US
الوكيل:
PARK, Chung Sik; US
بيانات الأولوية:
15/693,33331.08.2017US
العنوان (EN) WAFERS HAVING III-NITRIDE AND DIAMOND LAYERS
(FR) PLAQUETTES AYANT DES COUCHES DE NITRURE III ET DE DIAMANT
الملخص:
(EN) Wafers (1309) including a diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds and methods for fabricating the wafers (1309) are provided. A first SiC layer (1304) is formed on a silicon substrate (1302), and using a carbon containing gas, a surface of the first SiC layer (1304) is carbonized to form carbon particles on the SiC layer. Then, a diamond layer (1306) is grown on the carbonized surface, where the carbon atoms act as seed particles for growing the diamond layer. A second SiC layer (1308) is formed on the diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds is formed on the second SiC layer (1308). Then, the silicon substrate (1302) and the first SiC layer (1304) are removed.
(FR) L'invention concerne des plaquettes (1309) comprenant une couche de diamant (1306) et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III, et des procédés de fabrication des plaquettes (1309). Une première couche de SiC (1304) est formée sur un substrat de silicium (1302), et à l'aide d'un gaz contenant du carbone, une surface de la première couche de SiC (1304) est carbonisée pour former des particules de carbone sur la couche de SiC. Ensuite, une couche de diamant (1306) est développée sur la surface carbonisée, où les atomes de carbone agissent en tant que particules de germe pour faire croître la couche de diamant. Une seconde couche de SiC (1308) est formée sur la couche de diamant (1306), et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III est formée sur la seconde couche de SiC (1308). Ensuite, le substrat de silicium (1302) et la première couche de SiC (1304) sont retirés.
front page image
الدول المعيّنة: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
المنظمة الإقليمية الأفريقية للملكية الفكرية (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
مكتب البراءات الأوروبي الآسيوي (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
المكتب الأوروبي للبراءات (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
المنظمة الأفريقية للملكية الفكرية (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
لغة النشر: الإنكليزية (EN)
لغة الإيداع: الإنكليزية (EN)